台积电与创意电子合作赢得SK海力士HBM4芯片大单

6月24日，媒体报道称，台积电在成功代工英伟达、AMD等科技巨头的AI芯片后，市场传出其与子公司创意电子合作，拿下了SK海力士下一代HBM4关键基础介面芯片的大单。这一合作不仅展示了台积电在高端芯片制造领域的技术实力，也预示着其在HBM4及先进封装技术市场的进一步扩张。

据悉，创意电子已获得SK海力士的HBM4芯片委托设计案订单，预计最快于明年完成设计定案。生产方面，将依据高效能或低功耗的需求，分别采用台积电的12纳米及5纳米工艺技术。这一订单的获得预计将为创意电子下半年的营收带来显著贡献，并助力其进一步打入HBM供应链。

HBM4技术的最大变革在于除了将DRAM堆叠层数增加至16层外，还需在HBM底部集成逻辑IC以提升频宽传输速度，这可能是JEDEC放宽堆叠高度限制的原因之一。而这颗关键的逻辑IC即为基础介面芯片，由创意电子负责设计。

创意电子（GUC）公布的2024年第一季度财务数据显示，尽管整体营收和利润有所下降，但在人工智能与网络通信应用领域的芯片贡献了相当比例的营收，显示出公司在这些领域的竞争力。