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SK海力士3D DRAM制造良率曝光

编辑:AVA 发布:2024-06-24 10:57

SK海力士近日在“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。

据韩媒报道,SK海力士报告称,其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000个3D DRAM中,约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性,这是SK海力士首次披露其 3D DRAM开发的具体数字和特性。

但SK海力士也表示,虽然3D DRAM潜力巨大,但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出,与2D DRAM的稳定运行不同,3D DRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。

3D DRAM也是三星电子、美光等存储原厂的重点开发领域。三星电子已成功将3D DRAM堆叠到16层,并计划在2030年左右量产3D DRAM;美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利,如果3D DRAM技术有所突破,它可以在没有EUV设备的情况下制造出比现有DRAM更好的DRAM产品。 、

相关阅读:三星和SK海力士将3D DRAM技术应用到混合键合技术

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股市快讯 更新于: 05-25 20:23,数据存在延时

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