编辑：AVA 发布：2024-06-24 10:57
SK海力士近日在“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。
据韩媒报道，SK海力士报告称，其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000个3D DRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其 3D DRAM开发的具体数字和特性。
但SK海力士也表示，虽然3D DRAM潜力巨大，但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。
3D DRAM也是三星电子、美光等存储原厂的重点开发领域。三星电子已成功将3D DRAM堆叠到16层，并计划在2030年左右量产3D DRAM；美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果3D DRAM技术有所突破，它可以在没有EUV设备的情况下制造出比现有DRAM更好的DRAM产品。 、
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 99100 | KRW | -5.53% |
| SK海力士 | 551500 | KRW | -5.89% |
| 铠侠 | 9514 | JPY | -11.58% |
| 美光科技 | 218.030 | USD | -7.10% |
| 西部数据 | 152.180 | USD | -3.70% |
| 闪迪 | 194.570 | USD | -6.01% |
| 南亚科技 | 133.5 | TWD | +1.52% |
| 华邦电子 | 51.4 | TWD | -3.56% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1080 | TWD | +3.35% |
| 慧荣科技 | 92.290 | USD | -5.50% |
| 联芸科技 | 52.79 | CNY | -4.14% |
| 点序 | 71.1 | TWD | -1.25% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 256.56 | CNY | -2.73% |
| 希捷科技 | 250.380 | USD | -5.71% |
| 宜鼎国际 | 435.5 | TWD | +2.23% |
| 创见资讯 | 126.0 | TWD | -1.56% |
| 威刚科技 | 183.0 | TWD | +1.10% |
| 世迈科技 | 21.520 | USD | -4.78% |
| 朗科科技 | 28.75 | CNY | -3.56% |
| 佰维存储 | 119.31 | CNY | -2.14% |
| 德明利 | 214.05 | CNY | -4.44% |
| 大为股份 | 26.31 | CNY | -1.86% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.05 | TWD | -1.57% |
| 力成 | 168.5 | TWD | -3.16% |
| 长电科技 | 38.54 | CNY | -3.21% |
| 日月光 | 232.5 | TWD | -2.72% |
| 通富微电 | 39.37 | CNY | -3.69% |
| 华天科技 | 11.67 | CNY | -2.83% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
