编辑：AVA 发布：2024-06-24 10:57
SK海力士近日在“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。
据韩媒报道，SK海力士报告称，其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000个3D DRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其 3D DRAM开发的具体数字和特性。
但SK海力士也表示，虽然3D DRAM潜力巨大，但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。
3D DRAM也是三星电子、美光等存储原厂的重点开发领域。三星电子已成功将3D DRAM堆叠到16层，并计划在2030年左右量产3D DRAM；美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果3D DRAM技术有所突破，它可以在没有EUV设备的情况下制造出比现有DRAM更好的DRAM产品。 、
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 55050 | KRW | -0.81% |
| SK海力士 | 180800 | KRW | +1.86% |
| 铠侠 | 1829 | JPY | -0.22% |
| 美光科技 | 77.770 | USD | +1.07% |
| 西部数据 | 43.950 | USD | +0.21% |
| 闪迪 | 32.590 | USD | +1.49% |
| 南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
| 华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
| 慧荣科技 | 50.330 | USD | +1.68% |
| 联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
| 点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
| 国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
| 希捷科技 | 90.010 | USD | -1.12% |
| 宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
| 创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
| 威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
| 世迈科技 | 16.910 | USD | -0.94% |
| 朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
| 佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
| 德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
| 大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
| 力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
| 长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
| 日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
| 通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
| 华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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