HBM产能售罄至2025年，HBM4技术迭代加速

随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心的快速发展，HBM（High Bandwidth Memory）芯片市场需求激增。HBM芯片在通用内存市场的占比已从8%增长至15%，成为许多高性能应用的首选。美光科技（Micron）和SK海力士（SK Hynix）作为HBM市场的主要玩家，近期均宣布其HBM生产产能已全部售罄直至2025年。

美光科技的HBM3E内存以其超过1.2 TB/s的带宽领先市场，已被Nvidia采用为其H200 Tensor芯片提供动力。SK海力士的HBM3E则在相同封装尺寸下提供了36GB的最大容量和1.18TB/s的带宽，且已开始量产。三星虽然在HBM3E技术上采用12层堆叠技术，提供市场上容量最大的产品，但在市场份额上仍需时间追赶。

HBM4技术预计将带来重大变革，包括接口宽度的增加、堆叠层数的提升、功耗的降低以及工艺的改进。这些技术进步将进一步满足AI、HPC和数据中心等高性能应用的需求。SK海力士计划在2025年下半年推出首批HBM4产品，而三星和美光也分别规划在2025年和2026年推出HBM4样品和产品。

尽管HBM4的良率预计会因封装复杂性和高性能要求而较差，但厂商通过提供更复杂的产品来实现盈利，预计Nvidia、AMD、英特尔等公司愿意为HBM3E、HBM4和HBM4E内存支付更高的价格。随着技术的不断迭代和市场需求的增长，HBM市场的竞争格局将更加复杂多变。