编辑:Andy 发布:2024-07-03 14:08
据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。
三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率,NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示,“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限,但通过使用钼,可以再降低30%至40%。”此外,在NAND金属布线工艺中使用钼,可将延时减少30%-40%。
据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。
此外,三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺(在0℃至30℃下进行)不同,低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行,其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。
存储原厂 |
三星电子 | 68900 | KRW | -3.50% |
SK海力士 | 258000 | KRW | -5.67% |
铠侠 | 2424 | JPY | -2.18% |
美光科技 | 104.880 | USD | -3.90% |
西部数据 | 76.550 | USD | -2.72% |
闪迪 | 41.330 | USD | -3.70% |
南亚科技 | 44.45 | TWD | -0.22% |
华邦电子 | 17.60 | TWD | +1.44% |
主控厂商 |
群联电子 | 525 | TWD | -0.94% |
慧荣科技 | 76.420 | USD | -0.16% |
联芸科技 | 43.24 | CNY | -1.39% |
点序 | 51.9 | TWD | +0.58% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.86 | CNY | -1.59% |
希捷科技 | 154.810 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 226.5 | TWD | -0.22% |
创见资讯 | 93.6 | TWD | -1.06% |
威刚科技 | 91.8 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 22.810 | USD | -3.22% |
朗科科技 | 23.80 | CNY | -1.24% |
佰维存储 | 63.50 | CNY | -0.11% |
德明利 | 87.93 | CNY | +2.90% |
大为股份 | 16.85 | CNY | -2.43% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.45 | TWD | +0.90% |
力成 | 123.5 | TWD | -1.98% |
长电科技 | 34.54 | CNY | -1.51% |
日月光 | 152.5 | TWD | 0.00% |
通富微电 | 27.13 | CNY | -3.52% |
华天科技 | 9.91 | CNY | -1.10% |
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