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三星首次将钼应用于第9代V-NAND工艺

编辑:Andy 发布:2024-07-03 14:08

据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。

三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率,NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示,“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限,但通过使用钼,可以再降低30%至40%。”此外,在NAND金属布线工艺中使用钼,可将延时减少30%-40%。

据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。

此外,三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺(在0℃至30℃下进行)不同,低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行,其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。 

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股市快讯 更新于: 08-23 16:24,数据存在延时

存储原厂
三星电子71400KRW+1.13%
SK海力士251000KRW+2.45%
铠侠2403JPY+4.25%
美光科技117.680USD+1.63%
西部数据76.970USD+3.09%
闪迪46.370USD+1.91%
南亚科技45.35TWD-2.37%
华邦电子18.20TWD-1.09%
主控厂商
群联电子473.0TWD-0.21%
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联芸科技49.29CNY+2.47%
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品牌/模组
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世迈科技24.350USD+2.96%
朗科科技27.48CNY+2.00%
佰维存储70.70CNY+5.01%
德明利98.92CNY+2.40%
大为股份19.41CNY+2.70%
封测厂商
华泰电子40.95TWD+0.86%
力成117.0TWD-2.09%
长电科技38.84CNY+6.18%
日月光143.5TWD-0.35%
通富微电30.23CNY+4.71%
华天科技11.27CNY+4.45%