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三星首次将钼应用于第9代V-NAND工艺

编辑:Andy 发布:2024-07-03 14:08

据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。

三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率,NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示,“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限,但通过使用钼,可以再降低30%至40%。”此外,在NAND金属布线工艺中使用钼,可将延时减少30%-40%。

据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。

此外,三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺(在0℃至30℃下进行)不同,低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行,其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。 

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股市快讯 更新于: 07-10 21:19,数据存在延时

存储原厂
三星电子61000KRW+0.99%
SK海力士297000KRW+5.69%
铠侠2557JPY-5.58%
美光科技122.240USD-1.75%
西部数据64.640USD+0.97%
闪迪46.200USD+0.06%
南亚科技47.15TWD-2.58%
华邦电子18.50TWD-2.37%
主控厂商
群联电子493.0TWD+1.44%
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联芸科技40.48CNY+0.40%
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品牌/模组
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世迈科技23.430USD+10.57%
朗科科技23.31CNY-1.69%
佰维存储65.71CNY+1.09%
德明利83.10CNY-4.25%
大为股份17.57CNY-1.95%
封测厂商
华泰电子37.55TWD+0.27%
力成135.5TWD-0.73%
长电科技33.08CNY-0.30%
日月光150.0TWD+2.39%
通富微电24.91CNY-0.20%
华天科技9.77CNY+0.10%