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三星首次将钼应用于第9代V-NAND工艺

编辑:Andy 发布:2024-07-03 14:08

据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。

三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率,NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示,“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限,但通过使用钼,可以再降低30%至40%。”此外,在NAND金属布线工艺中使用钼,可将延时减少30%-40%。

据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。

此外,三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺(在0℃至30℃下进行)不同,低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行,其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。 

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股市快讯 更新于: 05-02 08:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子55100KRW-0.72%
SK海力士179200KRW+0.96%
铠侠1830JPY-0.16%
美光科技77.770USD+1.07%
西部数据43.950USD+0.21%
闪迪32.590USD+1.49%
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华邦电子15.75TWD-1.25%
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朗科科技25.09CNY+4.24%
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德明利127.50CNY+0.73%
大为股份14.18CNY+2.09%
封测厂商
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力成108.5TWD-2.69%
长电科技33.43CNY+1.24%
日月光135.5TWD-2.17%
通富微电25.62CNY+0.99%
华天科技9.28CNY-5.31%