编辑:Andy 发布:2024-07-03 14:08
据韩媒报道,业界人士透露,三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备,明年还将引进约20台设备。
三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率,NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示,“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限,但通过使用钼,可以再降低30%至40%。”此外,在NAND金属布线工艺中使用钼,可将延时减少30%-40%。
据悉,除三星电子外,SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。
此外,三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺(在0℃至30℃下进行)不同,低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行,其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。
存储原厂 |
三星电子 | 71400 | KRW | +1.13% |
SK海力士 | 251000 | KRW | +2.45% |
铠侠 | 2403 | JPY | +4.25% |
美光科技 | 117.680 | USD | +1.63% |
西部数据 | 76.970 | USD | +3.09% |
闪迪 | 46.370 | USD | +1.91% |
南亚科技 | 45.35 | TWD | -2.37% |
华邦电子 | 18.20 | TWD | -1.09% |
主控厂商 |
群联电子 | 473.0 | TWD | -0.21% |
慧荣科技 | 76.430 | USD | +3.01% |
联芸科技 | 49.29 | CNY | +2.47% |
点序 | 50.5 | TWD | -1.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.60 | CNY | +3.86% |
希捷科技 | 159.210 | USD | +2.98% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 97.2 | TWD | -2.61% |
威刚科技 | 96.4 | TWD | +0.94% |
世迈科技 | 24.350 | USD | +2.96% |
朗科科技 | 27.48 | CNY | +2.00% |
佰维存储 | 70.70 | CNY | +5.01% |
德明利 | 98.92 | CNY | +2.40% |
大为股份 | 19.41 | CNY | +2.70% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.95 | TWD | +0.86% |
力成 | 117.0 | TWD | -2.09% |
长电科技 | 38.84 | CNY | +6.18% |
日月光 | 143.5 | TWD | -0.35% |
通富微电 | 30.23 | CNY | +4.71% |
华天科技 | 11.27 | CNY | +4.45% |
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