HBM3E 12层产品成AI半导体市场关键

据业内人士透露，三星电子已于上一季度开始了HBM产品'HBM3E 12层'的量产，并且正在向部分客户供应。HBM3E 12层是使用硅通孔（TSV）技术堆叠了12层DRAM内存芯片的产品，拥有业界最大的容量。作为下一代HBM即'HBM4'的前一代产品，HBM3E 12层在市场上的早期占有情况预计将对整个HBM市场产生重要影响。

三星电子在2月首次实现了业界最大容量36GB的HBM3E 12层产品。然而，即便三星电子在HBM3E 12层产品的量产上取得成功，如果不能及时通过英伟达的质量验证，预先生产的产品可能会积压。

SK海力士也必须在下半年集中精力供应HBM3E 12层产品给英伟达。尽管目前HBM3E 8层产品正在供应给英伟达，但HBM3E 12层产品目前正在准备第三季度的量产，并且也需要通过英伟达的质量验证。据悉，SK海力士尚未收到英伟达的质量验证请求。

为了抢占市场，SK海力士已将HBM3E 12层产品的量产计划从明年提前到第三季度。谁能首先向英伟达供应HBM3E 12层产品，将决定SK海力士是否能保持HBM市场的领先地位，或者三星电子是否能实现逆转。

美光科技也已完成了下半年HBM3E 12层产品的量产准备，并计划明年向英伟达等大型客户供应。由于尚未有内存企业确定供应HBM3E 12层产品，英伟达可能会积极考虑三家公司的HBM供应，以应对低价格和HBM需求。

业内人士指出，尽管由于竞争加剧，HBM3E 12层产品的价格可能会有所下降，但下半年无疑是决定HBM市场格局的时刻，各公司提高产量（良品比率）是关键。