对于业绩变化的主要原因，聚辰股份表示，随着下游应用市场需求的逐步回暖，以及持续进行技术升级并不断加强对产品的推广及综合服务力度，其SPD产品、NOR  Flash产品、汽车级EEPROM 产品以及应用于工业控制等领域的工业级EEPROM 产品的出货量同比实现高速增长，带动公司 2024 年上半年的销售收入创出历史同期最好成绩。

消息称，三星电子HBM3目前仅用于专为中国市场制造的H20图形处理单元（GPU），目前尚不清楚是否会用于其他产品，以及是否需要通过额外的测试。三星最早可能在8月份开始为英伟达H20供应HBM3。

JEDEC固态技术协会宣布，即将正式推出DDR5 MRDIMM和LPDDR6 CAMM内存技术规范，旨在提升内存带宽和容量，支持更高性能的计算需求。

三星电子之所以将下半年作为爆发点，是因为使用CXL的条件已经具备，英特尔计划在今年下半年推出支持CXL 2.0的第五代和第六代服务器至强处理器。三星预测到2028年CXL市场将迅速增长。

普冉股份预计第二季度实现营业收入约4.75亿，环比增长约17.32%，创公司成立以来单季度营业收入值新高，公司产品出货量同比及环比也均实现不同幅度的提升。

CFM闪存市场专访了慧荣科技CAS（终端与车用存储）业务群资深副总段喜亭先生和ESDI（企业级存储与显示接口解决方案）业务群资深副总周晏逸先生，深入探讨慧荣科技在AI技术浪潮下如何把握新机遇以及在各大终端市场的战略部署。

作为创新性业务，定制化存储方案发展方向包括定制化存储方案在内的新技术、新业务、新市场和新产品。

十铨表示，因消费性市场持续疲弱，需求并未如期回升，虽然合约市场将持续涨价，但现货市场这波涨价潮恐将停滞。

三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试，目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。

据韩媒报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant（原SK建设）来优化其财务结构，此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始，Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露，SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4，目前正在研发层面进行商业可行性审查，并非立即引入和投资。

HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点，三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应，而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品，以应对市场需求。