SK海力士已确定HBM4基础裸片工艺

据韩媒报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

台积电在2024年的技术研讨会上展示了两款HBM4基础裸片，分别采用N12FFC+和N5制程技术，其中N5版相较于N12FFC+版面积更小，性能更高，功耗更低，支持6~9μm级别的互联间距，并能实现与逻辑处理器的3D垂直集成，有望大幅提升HPC和AI芯片的内存带宽。

SK海力士与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工已确定，其中，台积电负责HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在SK海力士自家的后端工艺工厂进行。