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SK海力士已确定HBM4基础裸片工艺

编辑:Andy 发布:2024-07-17 11:21

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

台积电在2024年的技术研讨会上展示了两款HBM4基础裸片,分别采用N12FFC+和N5制程技术,其中N5版相较于N12FFC+版面积更小,性能更高,功耗更低,支持6~9μm级别的互联间距,并能实现与逻辑处理器的3D垂直集成,有望大幅提升HPC和AI芯片的内存带宽。

SK海力士与台积电在下一代高带宽存储器(HBM)量产上的合作分工已确定,其中,台积电负责HBM4基础芯片的半导体前端工艺(FEOL)、硅通孔(TSV)形成、BEOL等,而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片(KGSD)测试等后续工艺则在SK海力士自家的后端工艺工厂进行。

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股市快讯 更新于: 05-24 05:38,数据存在延时

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