SK海力士：明年HBM需求超预期，将扩大HBM3E产量

针对关于“AI泡沫理论”“HBM供给过剩的可能性”等言论，SK海力士DRAM营销副总裁Kim Gyu-hyeon在第三季度业绩说明会上表示，“随着AI芯片的需求不断增加，以及客户扩大AI投资的意愿得到证实，明年HBM的需求增长将超过目前的预期。”

Kim Gyu-hyeon透露，“明年各 HBM 客户的数量和价格谈判已基本完成，需求强于供应的情况将持续下去。”

他还强调，半导体行业现在的任务是及时供应HBM，而不是担心减少AI投资。这是因为开发下一代HBM的技术难度不断增加，并且由于产量下降和客户认证等因素，供应可能会中断。与DRAM供应不同，为保证及时获得HBM，HBM客户通常是签署长期供应合同。

SK海力士表示正在投入资源以确保HBM的顺利供应。 SK海力士计划通过将 HBM3 和 DDR4 DRAM 等现有一代（传统）工艺转换为先进工艺来应对HBM3E快速增长的需求。该战略是将投资重点放在高附加值产品上，同时逐步减少需求下降的老一代产品的比例。为了扩大HBM产能，SK海力士还确保核心工艺硅通电极（TSV）的产能比去年增加了一倍以上。

第三季度，SK海力士HBM销售额环比增长超70%，已占DRAM总销售额的30%，预计第四季度这一比重将达40%。该季度HBM3E出货量已超过HBM3，第四季度12层HBM3E已按计划开始出货，预计明年第一季度12层HBM3E将占HBM3E总出货量的一半以上。