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三星电子拟2026年推出用于AI服务器的400层NAND

编辑:Andy 发布:2024-10-29 15:48

据业界消息,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。

三星电子计划采用新型键合技术,在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备,然后进行键合。这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND 堆栈,非常适合用于 AI 数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为 Bonding Vertical NAN D Flash,简称 BV NAND,其单位面积的位密度将提高1.6倍。

三星电子计划于2027年推出V11 NAND,进一步发展其堆叠技术,数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片, 以实现更高的密度和存储能力。

SK海力士也已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。

铠侠曾在其技术路线图中表示,3D NAND层数以每年1.33倍的增长率,到2027年将可达到1,000层的水平,NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。

今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展:

三星236层V8 TLC NAND产能放量增长,同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产;

SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash;

铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入,采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样;

美光量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。


来源:CFM闪存市场

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股市快讯 更新于: 10-12 08:12,数据存在延时

存储原厂
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SK海力士428000KRW+8.22%
铠侠6160JPY-0.96%
美光科技181.600USD-5.58%
西部数据115.420USD-3.58%
闪迪116.910USD-9.85%
南亚科技98.5TWD+8.48%
华邦电子43.45TWD+5.33%
主控厂商
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联芸科技57.50CNY-7.93%
点序73.5TWD+9.87%
品牌/模组
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德明利198.00CNY-4.84%
大为股份21.51CNY-0.78%
封测厂商
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力成159.0TWD+0.63%
长电科技43.77CNY-6.87%
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通富微电45.60CNY+3.19%
华天科技11.78CNY+4.16%