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三星电子拟2026年推出用于AI服务器的400层NAND

编辑:Andy 发布:2024-10-29 15:48

据业界消息,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。

三星电子计划采用新型键合技术,在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备,然后进行键合。这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND 堆栈,非常适合用于 AI 数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为 Bonding Vertical NAN D Flash,简称 BV NAND,其单位面积的位密度将提高1.6倍。

三星电子计划于2027年推出V11 NAND,进一步发展其堆叠技术,数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片, 以实现更高的密度和存储能力。

SK海力士也已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。

铠侠曾在其技术路线图中表示,3D NAND层数以每年1.33倍的增长率,到2027年将可达到1,000层的水平,NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。

今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展:

三星236层V8 TLC NAND产能放量增长,同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产;

SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash;

铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入,采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样;

美光量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。


来源:CFM闪存市场

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股市快讯 更新于: 09-17 00:57,数据存在延时

存储原厂
三星电子79400KRW+3.79%
SK海力士348000KRW+5.14%
铠侠4705JPY+5.97%
美光科技158.250USD+0.30%
西部数据102.010USD-0.37%
闪迪90.930USD+0.93%
南亚科技69.2TWD+9.67%
华邦电子27.95TWD+4.29%
主控厂商
群联电子688TWD+3.61%
慧荣科技90.355USD+0.38%
联芸科技51.40CNY+1.50%
点序68.4TWD+8.74%
品牌/模组
江波龙115.23CNY+3.52%
希捷科技208.255USD-1.36%
宜鼎国际347.5TWD0.00%
创见资讯118.5TWD+1.72%
威刚科技132.0TWD+2.72%
世迈科技26.050USD-0.34%
朗科科技26.90CNY+1.24%
佰维存储80.00CNY+0.69%
德明利125.50CNY+6.44%
大为股份17.60CNY-0.96%
封测厂商
华泰电子43.70TWD+2.10%
力成148.5TWD-1.66%
长电科技38.70CNY+2.33%
日月光169.5TWD+1.80%
通富微电33.46CNY+1.55%
华天科技11.25CNY+1.53%