编辑:Andy 发布:2024-10-29 15:48
据业界消息,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。
三星电子计划采用新型键合技术,在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备,然后进行键合。这种方法将实现具有大存储容量和出色散热性能的“超高”NAND 堆栈,非常适合用于 AI 数据中心的超高容量SSD。这款芯片被称为 Bonding Vertical NAN D Flash,简称 BV NAND,其单位面积的位密度将提高1.6倍。
三星电子计划于2027年推出V11 NAND,进一步发展其堆叠技术,数据输入和输出速度将提高 50%。其目标是到2030年开发超过1,000层的NAND芯片, 以实现更高的密度和存储能力。
SK海力士也已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。
铠侠曾在其技术路线图中表示,3D NAND层数以每年1.33倍的增长率,到2027年将可达到1,000层的水平,NAND芯片密度将达到100 Gbit/mm²。
今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展:
三星236层V8 TLC NAND产能放量增长,同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产;
SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash;
铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入,采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样;
美光量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。

来源:CFM闪存市场
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 98800 | KRW | +2.38% |
| SK海力士 | 510000 | KRW | +6.58% |
| 铠侠 | 8780 | JPY | +19.13% |
| 美光科技 | 219.020 | USD | +5.96% |
| 西部数据 | 129.430 | USD | +2.95% |
| 闪迪 | 186.160 | USD | +11.44% |
| 南亚科技 | 109.5 | TWD | -0.45% |
| 华邦电子 | 46.30 | TWD | +1.87% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 880 | TWD | +1.27% |
| 慧荣科技 | 99.130 | USD | +4.31% |
| 联芸科技 | 61.14 | CNY | +13.22% |
| 点序 | 79.5 | TWD | +2.19% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 222.00 | CNY | +16.73% |
| 希捷科技 | 234.120 | USD | +3.41% |
| 宜鼎国际 | 426.5 | TWD | +1.31% |
| 创见资讯 | 131.0 | TWD | +0.38% |
| 威刚科技 | 186.5 | TWD | +3.04% |
| 世迈科技 | 22.400 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 33.18 | CNY | +8.93% |
| 佰维存储 | 119.10 | CNY | +10.70% |
| 德明利 | 216.92 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 23.25 | CNY | +9.98% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.05 | TWD | -1.77% |
| 力成 | 150.0 | TWD | -0.99% |
| 长电科技 | 40.95 | CNY | +2.81% |
| 日月光 | 196.0 | TWD | +1.55% |
| 通富微电 | 41.88 | CNY | +5.46% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | +1.36% |
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