但SK海力士也表示，虽然3D DRAM潜力巨大，但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。

考虑到西部数据对资本支出和投资回报的看法，可理解为其可能不愿意加入铠侠在2027年前实现达到 1,000层所需的多个层级跃升。西部数据希望减缓层级增长率，而不是维持或增加它。

普冉股份表示，2024年以来，随着下游市场的景气度逐渐复苏，产品出货量及营收同比均有较大幅度提升，1-5月出货量累计约35亿颗，较去年同期翻番。目前在手订单 1.7亿元左右（含税）。

随着今年存储芯片需求的回升，全球领先的存储芯片制造商三星电子、SK海力士以及日本的铠侠开始提高NAND闪存芯片的产量。

三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合，以提高存储芯片的性能和制造效率。

韩国专利管理公司MimirIP已对美光提起诉讼，称其侵犯了Mimir拥有的芯片相关专利。这起于6月3日提起的诉讼还针对了四家使用美光产品的公司：特斯拉、戴尔、惠普和联想。

据韩媒报道，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

RTS5782 具有八个 NAND 通道，支持接口速度为 3,600 MT/s 的NAND，支持 4K LDPC ECC 机制，甚至支持 LPDDR4X 缓存。顺序读取速度高达 14,000 MB/s，顺序写入速度高达 12,000 MB/s，4K 随机读/写 IOPS 为 250 万。

据了解，产能将从今年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模，并计划明年将产能扩大到20万张/月。

SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明，HBM 可以承受外部物理冲击，而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

双方预测，如果FDP技术得到广泛应用，将有助于降低总投资成本（TCO）并建立存储效率的新标准。

十铨认为，DRAM 及NAND Flash价格今年没有反转下跌的可能，至年底合约价应可维持双位数百分比的涨幅，后市也随生成式AI与边缘运算技术发展持续扩张，相信可望迎来存储市场旺季。

适逢端午节假期，按国家规定放假3天，即6月8-10日放假，6月10日所有产品均暂停报价，6月11日（星期二）恢复报价。

据韩媒报道，韩国政府已开始审查针对高带宽存储器 (HBM) 芯片制造所必需的材料、零部件和设备的政策支持，包括税收优惠。

SK海力士未来战略副总裁柳秉勋表示，“考虑到AI数据中心的建设速度，我们需要谨慎增加投资。”此前，存储厂商过度扩张产能，导致去年半导体市场低迷期间盈利能力大幅下降。SK海力士将保持保守的投资方式，以确保盈利能力。