编辑:Andy 发布:2024-10-24 15:16
据业界消息,三星电子正在加快产品开发,目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析,三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4,以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。
HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始,预计HBM4测试产品将于明年初左右发布,验证产品的运行后,预计将进行设计和工艺改进。
三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率,才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称,三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”,好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。
SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4,核心芯片采用1b DRAM,同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。
12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
美光科技 | 76.950 | USD | +0.09% |
西部数据 | 43.860 | USD | +7.98% |
闪迪 | 32.110 | USD | -2.52% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 49.500 | USD | +9.61% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 91.030 | USD | +11.56% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 17.070 | USD | +0.77% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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