编辑:Andy 发布:2024-10-24 15:16
据业界消息,三星电子正在加快产品开发,目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析,三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4,以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。
HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始,预计HBM4测试产品将于明年初左右发布,验证产品的运行后,预计将进行设计和工艺改进。
三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片,并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率,才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称,三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”,好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。
SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4,核心芯片采用1b DRAM,同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。
12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。
存储原厂 |
三星电子 | 55700 | KRW | -0.36% |
SK海力士 | 200500 | KRW | -0.74% |
铠侠 | 2173 | JPY | -0.59% |
美光科技 | 95.840 | USD | -2.30% |
西部数据 | 49.490 | USD | -2.25% |
闪迪 | 38.600 | USD | -3.93% |
南亚科技 | 43.65 | TWD | -3.54% |
华邦电子 | 18.15 | TWD | -2.16% |
主控厂商 |
群联电子 | 513 | TWD | +1.79% |
慧荣科技 | 64.710 | USD | -0.60% |
联芸科技 | 40.25 | CNY | -0.86% |
点序 | 58.7 | TWD | +2.44% |
品牌/模组 |
江波龙 | 75.25 | CNY | -1.30% |
希捷科技 | 104.430 | USD | -2.37% |
宜鼎国际 | 245.5 | TWD | +0.20% |
创见资讯 | 105.5 | TWD | +1.93% |
威刚科技 | 93.0 | TWD | +0.32% |
世迈科技 | 18.100 | USD | -3.98% |
朗科科技 | 23.69 | CNY | -4.24% |
佰维存储 | 60.09 | CNY | -2.36% |
德明利 | 116.54 | CNY | -1.50% |
大为股份 | 14.44 | CNY | -1.77% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.10 | TWD | +1.64% |
力成 | 118.5 | TWD | +1.72% |
长电科技 | 33.07 | CNY | -0.81% |
日月光 | 144.5 | TWD | +0.35% |
通富微电 | 24.27 | CNY | -0.98% |
华天科技 | 9.13 | CNY | -0.98% |
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