据媒体报道，台积电计划在高雄楠梓园区内新建 5 座晶圆厂，其中第一座目前已经破土动工，计划 2025 年 1 月前搬入首部机台，此工厂预计将进行2nm工艺生产。

日立高新技术宣布推出高精度电子束测量系统“GT2000”，该系统可以满足使用 EUV 光刻技术制造的半导体器件的开发和量产中的测量需求。

继任 CTO目前尚未确定。三星年终人事调整已经过去一个月，但代工CTO职位仍然空缺。据悉，必要的研发由代工部门内与技术开发相关的高管团队领导。

默克的半导体和显示材料，被广泛运用于全球几乎所有现代电子产品之中。如最新且最先进的手机，以及像ChatGPT这样的人工智能应用的处理元件。

鸿海公告，子公司Foxconn Singapore Pte. Ltd.现金增资印度Foxconn Precision Engineering PrivateLimited，总金额约5529.99万美元。

Rambus Gen 4 RCD 将数据速率提高至 7200 MT/s，树立了新的性能基准，并使内存带宽比当今的 4800 MT/s DDR5 模块解决方案增加了 50%。

过去10年间，中国不仅在半导体小部件（材料、零件、装备）领域，还在旧型通用半导体和最尖端半导体等领域获得了大量技术专利。但中国半导体专利被引用指数（CPP）仅2.89，低于美国（6.96）和韩国（5.15）。

11月韩国半导体生产指数环比增长12.8%，这主要得益于DRAM和NAND Flash等存储芯片产量的提升。

来到下半年，原厂坚定涨价并控制资源供应态势下，存储产品价格水涨船高。根据比价网站数据，今年双十一期间存储产品价格已经普遍高于618期间，而上扬的价格也直接影响了产品销量，CFM闪存市场数据显示，今年下半年国内部分电商平台存储产品销售额同比表现下滑态势，11月份销售额同比下滑约10%。

研究团队表示，该研究成果能够在国内使用NAND闪存的半导体企业额外开发核心技术时实现快速应用和技术领先。

旺宏指出，与IBM的合作开发计划为期3年，将自今年12月31日开始，至2026年12月30日止，将支付研发费用及权利金。

以色列政府要求英特尔在2028 年之前开始在该工厂运营，并至少持续到2035 年。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推行一项计划，以将更先进的工艺应用于“逻辑芯片”，“逻辑芯片”是 HBM4（第六代 HBM）的重要组成部分。

整体上，在SSD产品市场，排名前十的存储品牌享有总体市约65%，前三名品牌合计占整体市场约30%市场份额。