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受行业周期好转的影响,10月前20天韩国半导体出口激增36.1%,达71亿美元。半导体出口占同期韩国出口总额的21.7%,比去年同期增长6.2个百分点。

三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器,与上一代产品相比,带宽提高10%,延迟降低20%。

9月集成电路产量367亿块,同比增长17.9%,环比减少1.6%,累计1-9月产量为3156亿块,同比增长26.0%。

该系列产品读取速度可达1050MB/s,写入速度可达1000MB/s, 采用USB 3.2 Gen 2 10Gbps Type-C接口,并拥有500GB、1TB和2TB三种容量可选。

据外媒报道,英特尔本周拟将其持有的 Altera 的多数股权出售给多家私募股权基金和战略投资者。

受惠生成式AI需求旺,晶圆切割机大厂DISCO 7-9月营收、净利润创同期历史新高,出货额创单季历史次高纪录,且本季(2024年10-12月)净利润有望大增、出货额将逼近历史新高。

消息人士透露,SK海力士正在削减其CMOS图像传感器(CIS)研发投入,产能预计较去年减少一半以上,至每月不足7000片12英寸晶圆。此外,负责设计存储控制器等的片上系统(SoC)设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。

在硬件成本攀升的影响下,预计年底旗舰新机将集体迎来涨价浪潮,部分高端机型入门价格将达到4000至5000元,高配版本甚至突破5500元,这将考验手机厂商的市场策略和消费者的购买力,国产品牌如小米、vivo和OPPO等将如何应对则成为市场关注的焦点。

台积电董事长暨总裁魏哲家预估,今年美元计价营收将同比增长近30%,较前一次预期的24~26%区间持续上修,主要动能来自技术领先及强劲的AI需求。

24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术,在相同封装尺寸下提高了电池集成度,与之前的产品相比,容量增加了50%;通过脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,使其速度在图形DRAM中达到40Gbps,根据使用环境的不同,...

韩国财政部最新表示,韩国政府将在明年之前为半导体行业提供价值8.8万亿韩元(约合64.7亿美元)的低息贷款和其他支持,以增强先进行业的竞争力。

9月份日本半导体等制造设备出口额较去年同月大增26.3%,其中,日本对中国的半导体等制造设备出口额较去年同月大增16.8%。

据业界消息,三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关,1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。

ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示,在逻辑芯片方面,竞争激烈的代工厂动态导致某些客户的新节点增长放缓,导致几家工厂停工,并导致光刻需求时间发生变化,尤其是EUV。在存储芯片方面,我们看到产能增加有限,重点仍然是支持HBM和DDR5等AI相关需求的技术转型。

这些解决方案旨在提供更高的速度稳定性、更快的下载速度和更好的刷新率,代表了下一代PC内存外形的全新前沿。

股市快讯 更新于: 05-06 11:15,数据存在延时

存储原厂
三星电子54300KRW-2.16%
SK海力士186000KRW+4.79%
铠侠1825JPY-0.44%
美光科技80.420USD-0.37%
西部数据45.030USD+0.76%
闪迪34.610USD+0.61%
南亚科35.45TWD+3.50%
华邦电子15.60TWD+0.97%
主控厂商
群联电子443.5TWD+1.49%
慧荣科技52.700USD-1.51%
联芸科技41.86CNY+1.23%
点序52.2TWD+0.19%
国科微71.67CNY+3.98%
品牌/模组
江波龙80.05CNY+2.75%
希捷科技93.580USD+0.55%
宜鼎国际223.5TWD+0.45%
创见资讯98.7TWD-0.50%
威刚科技82.8TWD-0.12%
世迈科技17.230USD-1.26%
朗科科技25.83CNY+2.95%
佰维存储63.85CNY+2.44%
德明利129.62CNY+1.66%
大为股份14.58CNY+2.82%
封测厂商
华泰电子31.15TWD+1.14%
力成106.5TWD+0.95%
长电科技34.13CNY+2.09%
日月光137.5TWD+2.61%
通富微电26.08CNY+1.80%
华天科技9.47CNY+2.71%