三星电子从美国获得的补贴金额少于此前确认的英特尔（78.65亿美元）、台积电（66亿美元）和美光（61.65亿美元）的金额。考虑到三星电子的投资计划出现了一些变化，补贴与投资的比例仍然较高。

美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助，这一金额比此前初步交易备忘录（PMT）中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外，CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。

英特尔将要求竞购方在接近1月底前提交正式的竞购方案。当然，在此过程中也可能出现其他竞标者，或者竞标无疾而终。

亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此，三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务，这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是，这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM。

据介绍，新设备采用键合头，大大提高了半导体芯片堆叠的生产率和精度。该设备将用于生产下一代HBM，预计将对明年的销售做出重大贡献。

据韩媒报道，美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会，史无前例的“当日招聘（针对预申请者）”，成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

受人工智能服务器投资对高带宽内存 (HBM) 需求增加的推动，存储半导体出口额同比增长52%，为79.6亿美元，环比增长7.72%；系统半导体出口额增长1.9%，为39.6亿美元；计算机和外围设备的出口也大幅增长，数据中心服务器使用的固态硬盘 (eSSD) 需求推动出货量增长98.6%，达11.5亿美元。

最终，该法案成为“半成形”法案，仅通过将现有15%的税收抵免率延长三年，并适用到今年年底。