非易失性存储Fabless欲转型为IDM，传FMC拟在德建设晶圆厂

据外媒报道，专注于 HfO2 基 FeRAM 铁电性存储器的德国存储厂商FMC，计划在德国马格德堡的科技园区建设首家晶圆厂，从目前的 Fabless 外部代工模式向 IDM 转型。

FMC计划在德国萨克森-安哈尔特州兴建一座占地约100公顷的半导体生产设施，总投资额预计达30亿欧元。据悉，该项目有望获得州政府提供的约15亿欧元资金支持，但目前仍在等待政府最终批准补贴方案并完成相关审批流程。

值得注意的是，自2009年奇梦达破产后，欧洲已无大型存储芯片制造企业，全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM，将有望重塑欧洲半导体产业格局，提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。

事实上，早在今年4月，FMC曾宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。双方合作的核心是 FMC研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 GB 级别，同时保持断电不丢失数据的特性。双方的终极目标是重建德国存储芯片产业，本次合作迈出了关键一步。