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在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后,美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。

黄仁勋表示,英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。

据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

SEMI表示,第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢,但AI数据中心投资需求强劲,是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%,主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。

英伟达在中国的数据中心收入连续增长,但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平,预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。

受行业周期好转的影响,11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%,达77.1亿美元,占同期全国出口总额的 21.6%,比去年同期上升了5.6 个百分点。

此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。

除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

群联电子于2023年开始筹备 ISO/SAE 21434 认证,约一年内完成认证流程。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。

NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备,旨在加速开发下一代存储器半导体,例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外,还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。

目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM(HBM4)中,引入无助焊剂键合技术。其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程;SK海力士正在评估无助焊剂键合技术;三星电子也正在密切关注相关技术。

对于上述消息,英伟达发言人回应称,公司正与顶尖云端服务供应商合作,工程方面的调整「正常且符合预期」。

展望全年,预计台湾地区今年半导体总产值将达新台币5.3兆元,成长22%;IC制造业产值可望成长27.5%,IC设计业将成长16.5%,IC封装业成长8.6%,IC测试业成长5.2%。

股市快讯 更新于: 06-02 11:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子56700KRW+0.89%
SK海力士206500KRW+0.98%
铠侠2003JPY-4.57%
美光科技94.460USD-2.42%
西部数据51.550USD-1.90%
闪迪37.690USD-2.36%
南亚科技44.75TWD-1.76%
华邦电子17.00TWD-3.95%
主控厂商
群联电子493.0TWD-2.57%
慧荣科技61.200USD-2.90%
联芸科技37.16CNY-2.88%
点序53.1TWD-4.15%
品牌/模组
江波龙71.18CNY-2.49%
希捷科技117.940USD-0.17%
宜鼎国际227.5TWD-3.19%
创见资讯103.0TWD0.00%
威刚科技90.6TWD-2.37%
世迈科技17.760USD-0.95%
朗科科技22.04CNY-3.63%
佰维存储56.08CNY-1.70%
德明利106.12CNY-3.26%
大为股份13.89CNY-3.61%
封测厂商
华泰电子37.15TWD-1.46%
力成114.5TWD-2.14%
长电科技32.16CNY-1.62%
日月光133.5TWD-3.26%
通富微电23.44CNY-1.97%
华天科技8.74CNY-2.24%