继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后，据韩媒报道，三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试，并正在为量产做准备。

上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线，旗下产品已量产应用于先进制程芯片，包括NAND Flash/DRAM（含HBM）/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。

据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望，郭鲁正表示：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片，将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin，该平台计划于明年发布。

这起诉讼引发的问题极其重要，因此法院有必要采取罕见措施，由11 名法官组成的法庭审理上诉，而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。

干式PR在超精细工艺（如10纳米级别）中更具优势，可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题，同时提高曝光精度，提高良率。