三星电子：HBM3E供需将发生变化，未来与传统DRAM的利润率差距将大幅缩小

三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。

三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。

考虑到HBM在AI领域的中长期增长潜力及其市场重要性，三星将继续专注于确保HBM3E的需求，同时加强与客户的合作，以实现具有竞争力的HBM4的商业化。三星将开发包括定制HBM在内的未来产品，并持续进行相关投资。 

今年第二季度，三星电子HBM销售额按bit计算环比增长约30%，其中，HBM3E在HBM总销量中所占比例扩大至 80% 以上。三星电子目前正逐步完成各个客户的量产认证，以确保客户需求，预计下半年 HBM3E销售占比将达到 90% 以上。

三星电子表示，受各应用领域需求改善的推动，预计下半年DRAM价格将进一步上涨，NAND价格也有望从第三季度开始全面反弹。不过，涨价幅度将因产品而异，取决于供需状况。近期供应紧张的传统DRAM和NAND价格预计将出现相对较大涨幅。尽管传统存储产品预计会涨价，但三星计划继续推进DRAM和NAND的先进工艺迁移，以确保中长期竞争力。三星计划在下半年扩大已备货的各种产品的销量，以顺应人工智能市场的中长期增长趋势。 

三星预计第三季度DRAM出货量将较上一季度实现高个位数百分比增长。NAND方面，将加速包括服务器在内的所有应用向V8的过渡，以增强成本竞争力。三星还将提高服务器SSD的销售占比，以提高盈利能力。尤其在服务器SSD方面，预计下半年AI服务器的销售将全面实现，这得益于三星第五代TLC SSD领域的领先地位，以及客户对64TB和128TB等大容量QLC SSD的持续认可。因此，三星预计第三季度NAND bit增长率将较上一季度实现中等个位数百分比增长。