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10月包括出口在内的日本半导体制造设备的销售额比上个月增长4.4%(2024年9月度为3695.98亿日元),比去年同期相比增长33.4%(2023年10月度为2891.98亿日元),达3856.76亿日元(约合25.04亿美元)。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

明年服务器需求将持续向上成长,加上AI PC 渗透率提升及换机潮递延到2025年,华泰EMS业务有望持续成长,半导体封测业务也有望回温,预期明年营运有机会重返成长轨道。

在英特尔推迟了美国俄亥俄州工厂的部分投资计划后,美国政府正试图将补贴金额降至80亿美元以下。

黄仁勋表示,英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。

据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

SEMI表示,第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢,但AI数据中心投资需求强劲,是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%,主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。

英伟达在中国的数据中心收入连续增长,但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平,预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。

受行业周期好转的影响,11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%,达77.1亿美元,占同期全国出口总额的 21.6%,比去年同期上升了5.6 个百分点。

此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。

除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

群联电子于2023年开始筹备 ISO/SAE 21434 认证,约一年内完成认证流程。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。

NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备,旨在加速开发下一代存储器半导体,例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外,还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。

股市快讯 更新于: 05-06 19:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子54300KRW-2.16%
SK海力士186000KRW+4.79%
铠侠1825JPY-0.44%
美光科技80.420USD-0.37%
西部数据45.030USD+0.76%
闪迪34.610USD+0.61%
南亚科35.40TWD+3.36%
华邦电子15.70TWD+1.62%
主控厂商
群联电子445.5TWD+1.95%
慧荣科技52.700USD-1.51%
联芸科技42.37CNY+2.47%
点序51.6TWD-0.96%
国科微71.04CNY+3.06%
品牌/模组
江波龙80.08CNY+2.79%
希捷科技93.580USD+0.55%
宜鼎国际222.0TWD-0.22%
创见资讯98.6TWD-0.60%
威刚科技83.3TWD+0.48%
世迈科技17.230USD-1.26%
朗科科技26.12CNY+4.11%
佰维存储64.20CNY+3.00%
德明利129.63CNY+1.67%
大为股份14.69CNY+3.60%
封测厂商
华泰电子31.40TWD+1.95%
力成108.0TWD+2.37%
长电科技34.32CNY+2.66%
日月光136.5TWD+1.87%
通富微电26.20CNY+2.26%
华天科技9.57CNY+3.80%