兼具DRAM与NAND优势，新型存储器即将投入生产

Quinas Technology 和 IQE plc 宣布，新型存储器ULTRARAM 已突破重大制造障碍，即将进入试生产阶段。

ULTRARAM 是一款实验性存储器，旨在将 DRAM 速度与类似 NAND 的持久性相结合。经过一年的密切合作，双方已开发出一种工业级可扩展的外延工艺，用于 ULTRARAM 所依赖的化合物半导体层。目前正在与代工厂和其他合作伙伴就试点晶圆和封装芯片进行洽谈。英国创新局的资助和近期获得的知识产权认可推动了该项目的进展，该产品正从大学实验室研究转向商用存储器产品。

在技术层面，ULTRARAM 依赖于锑化镓和锑化铝层内的共振隧穿效应。新的外延通道为工程师提供了原子层控制，允许使用标准光刻和蚀刻技术来形成可靠的存储单元。在实验室测试中，该设计表现出极快的开关速度、极低的开关功耗以及以年而非小时为单位的数据保存时间。如果这些特性能够大规模复制，系统就可以消除服务器中的 DRAM 刷新功耗，缩短客户端设备的启动和恢复时间，并实现始终在线的功能。

从量产角度，从可扩展的外延方法转向盈利的高良率制造，需要强大的供应链合作伙伴关系、细致的良率优化以及系统级集成，所有这些都将在试运行中进行验证。