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HBM4量产在即,键合设备厂商率先卡位

编辑:Andy 发布:2025-05-14 14:13

韩国半导体设备厂商韩美半导体宣布,将推出用于生产HBM4的专用设备“TC BONDER 4”。该设备针对HBM4对精度要求更高的特点,与同类产品相比,生产效率和精度均有大幅提升。

此前业界认为,混合键合技术对于HBM4的量产至关重要,但最近,JEDEC将HBM4的标准高度放宽至775微米(μm),使得现有的基于TC键合机的制造工艺成为可能。

HBM4是第六代高带宽存储器,与现有的HBM3E相比,数据传输速度提高约60%,功耗降低近30%,预计AI和高性能计算(HPC)市场的需求将激增。TSV(硅通孔)接口数量增加到2048个,是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层,每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。在HBM4的生产中,不允许出现微米级误差,因此高精度的键合技术尤为重要。

SK海力士已于今年3月开始送样12层HBM4,采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺,实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量,下半年完成量产准备。

三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon日前在财报会议上表示,公司已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。

美光对HBM4同样充满期待,将于2026年实现量产。

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股市快讯 更新于: 08-04 14:34,数据存在延时

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