编辑:Andy 发布:2025-05-14 14:13
韩国半导体设备厂商韩美半导体宣布,将推出用于生产HBM4的专用设备“TC BONDER 4”。该设备针对HBM4对精度要求更高的特点,与同类产品相比,生产效率和精度均有大幅提升。
此前业界认为,混合键合技术对于HBM4的量产至关重要,但最近,JEDEC将HBM4的标准高度放宽至775微米(μm),使得现有的基于TC键合机的制造工艺成为可能。
HBM4是第六代高带宽存储器,与现有的HBM3E相比,数据传输速度提高约60%,功耗降低近30%,预计AI和高性能计算(HPC)市场的需求将激增。TSV(硅通孔)接口数量增加到2048个,是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层,每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。在HBM4的生产中,不允许出现微米级误差,因此高精度的键合技术尤为重要。
SK海力士已于今年3月开始送样12层HBM4,采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺,实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量,下半年完成量产准备。
三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon日前在财报会议上表示,公司已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。
美光对HBM4同样充满期待,将于2026年实现量产。
存储原厂 |
三星电子 | 70000 | KRW | +1.60% |
SK海力士 | 259500 | KRW | +0.58% |
铠侠 | 2391 | JPY | -1.36% |
美光科技 | 104.880 | USD | -3.90% |
西部数据 | 76.550 | USD | -2.72% |
闪迪 | 41.330 | USD | -3.70% |
南亚科技 | 43.75 | TWD | -1.57% |
华邦电子 | 17.35 | TWD | -1.42% |
主控厂商 |
群联电子 | 525 | TWD | 0.00% |
慧荣科技 | 76.420 | USD | -0.16% |
联芸科技 | 43.44 | CNY | +0.46% |
点序 | 52.8 | TWD | +1.73% |
品牌/模组 |
江波龙 | 88.40 | CNY | +0.61% |
希捷科技 | 154.810 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 227.0 | TWD | +0.22% |
创见资讯 | 94.3 | TWD | +0.75% |
威刚科技 | 92.0 | TWD | +0.22% |
世迈科技 | 22.810 | USD | -3.22% |
朗科科技 | 24.12 | CNY | +1.34% |
佰维存储 | 63.73 | CNY | +0.36% |
德明利 | 88.54 | CNY | +0.69% |
大为股份 | 16.89 | CNY | +0.24% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.05 | TWD | -1.01% |
力成 | 122.5 | TWD | -0.81% |
长电科技 | 34.67 | CNY | +0.38% |
日月光 | 147.5 | TWD | -3.28% |
通富微电 | 27.09 | CNY | -0.15% |
华天科技 | 10.09 | CNY | +1.82% |
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