“设计变更”战略奏效，消息称三星1c DRAM良率提升至70%

据韩媒报道，三星采取的「设计变更」战略奏效，5月其10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的晶圆效能测试中，达成有意义的良率，即冷态环境下测试良率约50%，热态条件下测试良率达60~70%。

产能方面，近期有报道称，三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM（第六代10纳米级）生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品，且计划将搭载在HBM4上，在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

消息称，为加速1c DRAM的商业化进程，三星采取了将DDR与LPDDR同步开发的策略。通常，DRAM的开发顺序是DDR、LPDDR、GDDR，然后再应用于HBM。三星电子正尝试通过创新来打破这一传统。三星计划在今年年中取得LPDDR用1c DRAM的内部量产批准（PRA），并在第三季度取得针对HBM重新设计的DDR的内部量产批准（PRA）。