权威的存储市场资讯平台English

Intel携手软银拟打造HBM替代方案:容量翻倍、功耗降40%

编辑:Andy 发布:2025-06-04 11:50

据业界消息,Intel将与软银合作,共同开发一种可取代HBM的堆叠式DRAM解决方案。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。

消息称,软银与英特尔共同成立了一家名为Saimemory的新公司,主导低功耗AI用存储的开发专案。该司将于今年7月开始运营,负责设计新型存储产品,量产则交由晶圆代工厂。成功量产后,预计将优先供应经营AI数据中心的软银。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 06-06 07:41,数据存在延时

存储原厂
三星电子59100KRW+2.25%
SK海力士224500KRW+3.22%
铠侠2116JPY+2.72%
美光科技106.290USD+2.94%
西部数据55.050USD+1.14%
闪迪39.120USD-1.76%
南亚科技52.5TWD+6.60%
华邦电子18.10TWD+2.55%
主控厂商
群联电子530TWD+3.72%
慧荣科技66.480USD+1.28%
联芸科技38.30CNY+0.79%
点序58.9TWD+9.89%
品牌/模组
江波龙72.40CNY+1.97%
希捷科技127.700USD+0.05%
宜鼎国际237.5TWD+2.15%
创见资讯103.5TWD-2.36%
威刚科技93.7TWD+0.75%
世迈科技19.050USD0.00%
朗科科技22.55CNY+3.44%
佰维存储61.67CNY+4.26%
德明利122.87CNY+10.00%
大为股份14.99CNY+5.49%
封测厂商
华泰电子40.90TWD-1.21%
力成120.0TWD+1.27%
长电科技33.02CNY+1.82%
日月光139.5TWD-0.36%
通富微电23.97CNY+1.96%
华天科技8.93CNY+1.59%