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Intel携手软银拟打造HBM替代方案:容量翻倍、功耗降40%

编辑:Andy 发布:2025-06-04 11:50

据业界消息,Intel将与软银合作,共同开发一种可取代HBM的堆叠式DRAM解决方案。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。

消息称,软银与英特尔共同成立了一家名为Saimemory的新公司,主导低功耗AI用存储的开发专案。该司将于今年7月开始运营,负责设计新型存储产品,量产则交由晶圆代工厂。成功量产后,预计将优先供应经营AI数据中心的软银。

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股市快讯 更新于: 07-01 15:19,数据存在延时

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