三星加快建设平泽PH4工厂，1c DRAM与HBM4量产进程全速推进

据韩媒报道，三星电子正在加快平泽园区第四工厂（P4）四期（PH4）工程建设。为加快10纳米级第六代（1c）DRAM量产进程，三星正全力推进相关生产线建设。按照计划，8月起将投入人力启动前期施工，确保11月主体工程如期开工。

此前，PH4工厂长期处于“停工”状态，并被用作其他晶圆厂建设工人的临时现场办公室。然而，由于三星电子近期加快了设施建设，为 1c DRAM 的量产做准备，因此专注于提前投入运营 PH4工厂，该工厂将作为未来的生产基地。

近日有消息称三星电子1c DRAM的HBM4 12层将量产准备批准（PRA）期限设定在第四季度，实际量产时间很可能推迟至明年。但据三星公布的官方计划，仍以下半年实现量产为目标。考虑到PRA通过后后续流程可能快速推进，三星正加速搭建量产基础设施。

据悉，PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下，仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元（约合26亿美元）。