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亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此,三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务,这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是,这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备,生产10纳米级第六代DRAM。

据韩媒报道,美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会,史无前例的“当日招聘(针对预申请者)”,成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果,美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。

三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程,生产可能会在第二季度末开始。

据业界消息,为了满足苹果iPhone的要求,三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装,这意味着LPDDR将与系统半导体分开(即分立)封装,预计这一改变将在2026年实现,旨在扩大设备端AI的内存带宽。

美国近日升级对中国出口管制,据CFM闪存市场梳理,在BIS发布的具体文件中,对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制,删除此前“18nm及以下节点”的描述,进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。

三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段,正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。

随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。

Song Jae-hyuk表示,下一代产品10纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中,下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。

三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量,并在施加后调整蚀刻条件的方法,从而减少了PR的使用量。

黄仁勋表示,英伟达正在考虑接收三星电子交付的 8 层和 12 层 HBM3E。

随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。

据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

股市快讯 更新于: 05-21 17:23,数据存在延时

存储原厂
三星电子55700KRW-0.36%
SK海力士200500KRW-0.74%
铠侠2173JPY-0.59%
美光科技98.100USD-0.56%
西部数据50.630USD-0.18%
闪迪40.180USD+3.61%
南亚科技43.65TWD-3.54%
华邦电子18.15TWD-2.16%
主控厂商
群联电子513TWD+1.79%
慧荣科技65.100USD+1.48%
联芸科技40.25CNY-0.86%
点序58.7TWD+2.44%
品牌/模组
江波龙75.25CNY-1.30%
希捷科技106.970USD-1.90%
宜鼎国际245.5TWD+0.20%
创见资讯105.5TWD+1.93%
威刚科技93.0TWD+0.32%
世迈科技18.850USD+0.59%
朗科科技23.69CNY-4.24%
佰维存储60.09CNY-2.36%
德明利116.54CNY-1.50%
大为股份14.44CNY-1.77%
封测厂商
华泰电子37.10TWD+1.64%
力成118.5TWD+1.72%
长电科技33.07CNY-0.81%
日月光144.5TWD+0.35%
通富微电24.27CNY-0.98%
华天科技9.13CNY-0.98%