继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后，据韩媒报道，三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试，并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望，郭鲁正表示：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片，将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin，该平台计划于明年发布。

干式PR在超精细工艺（如10纳米级别）中更具优势，可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题，同时提高曝光精度，提高良率。

十铨表示，尽管全球总体经济环境仍充满不确定性，其主要产品线仍持续稳定出货，其中，AI与工控应用需求稳定增长，主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面，公司已提前启动采购与备货规划，维持出货节奏与应用端需求接轨，强化整体竞争力与市场布局。

Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场，目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺，并正在导入研发和量产线。

负责半导体业务的DS部门将于18日召开会议，预计将重点讨论如何提升技术竞争力，以应对高带宽存储器（HBM）和代工业务表现不佳的问题。

公开资料显示，大普微自2018年6月以来已完成了10轮融资，投资方包括深投控资本、松禾资本、广州淡水泉、国盛资本、启赋资本、七匹狼控股、前海众微资本及麒麟创投等知名投资机构。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品，且计划将搭载在HBM4上，在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式，新方案有望实现至少大一倍的存储容量，同时将耗电量减少40%，并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计，并评估量产可行性，力争在2030年前实现商业化。

适逢端午节假期，按国家规定放假3天，即5月31日-6月2日放假，6月2日所有产品均暂停报价，6月3日（星期二）恢复报价。