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据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。

干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。

十铨表示,尽管全球总体经济环境仍充满不确定性,其主要产品线仍持续稳定出货,其中,AI与工控应用需求稳定增长,主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面,公司已提前启动采购与备货规划,维持出货节奏与应用端需求接轨,强化整体竞争力与市场布局。

Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场,目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺,并正在导入研发和量产线。

负责半导体业务的DS部门将于18日召开会议,预计将重点讨论如何提升技术竞争力,以应对高带宽存储器(HBM)和代工业务表现不佳的问题。

公开资料显示,大普微自2018年6月以来已完成了10轮融资,投资方包括深投控资本、松禾资本、广州淡水泉、国盛资本、启赋资本、七匹狼控股、前海众微资本及麒麟创投等知名投资机构。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品,且计划将搭载在HBM4上,在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。

适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即5月31日-6月2日放假,6月2日所有产品均暂停报价,6月3日(星期二)恢复报价。

目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

股市快讯 更新于: 09-16 18:30,数据存在延时

存储原厂
三星电子79400KRW+3.79%
SK海力士348000KRW+5.14%
铠侠4705JPY+5.97%
美光科技157.770USD+0.34%
西部数据102.390USD+4.84%
闪迪90.090USD+4.60%
南亚科技69.2TWD+9.67%
华邦电子27.95TWD+4.29%
主控厂商
群联电子688TWD+3.61%
慧荣科技90.010USD+1.44%
联芸科技51.40CNY+1.50%
点序68.4TWD+8.74%
品牌/模组
江波龙115.23CNY+3.52%
希捷科技211.120USD+7.72%
宜鼎国际347.5TWD0.00%
创见资讯118.5TWD+1.72%
威刚科技132.0TWD+2.72%
世迈科技26.140USD+0.38%
朗科科技26.90CNY+1.24%
佰维存储80.00CNY+0.69%
德明利125.50CNY+6.44%
大为股份17.60CNY-0.96%
封测厂商
华泰电子43.70TWD+2.10%
力成148.5TWD-1.66%
长电科技38.70CNY+2.33%
日月光169.5TWD+1.80%
通富微电33.46CNY+1.55%
华天科技11.25CNY+1.53%