据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。
从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。
首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。
干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。
十铨表示,尽管全球总体经济环境仍充满不确定性,其主要产品线仍持续稳定出货,其中,AI与工控应用需求稳定增长,主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面,公司已提前启动采购与备货规划,维持出货节奏与应用端需求接轨,强化整体竞争力与市场布局。
Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场,目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺,并正在导入研发和量产线。
负责半导体业务的DS部门将于18日召开会议,预计将重点讨论如何提升技术竞争力,以应对高带宽存储器(HBM)和代工业务表现不佳的问题。
公开资料显示,大普微自2018年6月以来已完成了10轮融资,投资方包括深投控资本、松禾资本、广州淡水泉、国盛资本、启赋资本、七匹狼控股、前海众微资本及麒麟创投等知名投资机构。
1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品,且计划将搭载在HBM4上,在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。
双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式,新方案有望实现至少大一倍的存储容量,同时将耗电量减少40%,并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计,并评估量产可行性,力争在2030年前实现商业化。
适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即5月31日-6月2日放假,6月2日所有产品均暂停报价,6月3日(星期二)恢复报价。
目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。
存储原厂 |
三星电子 | 79400 | KRW | +3.79% |
SK海力士 | 348000 | KRW | +5.14% |
铠侠 | 4705 | JPY | +5.97% |
美光科技 | 157.770 | USD | +0.34% |
西部数据 | 102.390 | USD | +4.84% |
闪迪 | 90.090 | USD | +4.60% |
南亚科技 | 69.2 | TWD | +9.67% |
华邦电子 | 27.95 | TWD | +4.29% |
主控厂商 |
群联电子 | 688 | TWD | +3.61% |
慧荣科技 | 90.010 | USD | +1.44% |
联芸科技 | 51.40 | CNY | +1.50% |
点序 | 68.4 | TWD | +8.74% |
品牌/模组 |
江波龙 | 115.23 | CNY | +3.52% |
希捷科技 | 211.120 | USD | +7.72% |
宜鼎国际 | 347.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 118.5 | TWD | +1.72% |
威刚科技 | 132.0 | TWD | +2.72% |
世迈科技 | 26.140 | USD | +0.38% |
朗科科技 | 26.90 | CNY | +1.24% |
佰维存储 | 80.00 | CNY | +0.69% |
德明利 | 125.50 | CNY | +6.44% |
大为股份 | 17.60 | CNY | -0.96% |
封测厂商 |
华泰电子 | 43.70 | TWD | +2.10% |
力成 | 148.5 | TWD | -1.66% |
长电科技 | 38.70 | CNY | +2.33% |
日月光 | 169.5 | TWD | +1.80% |
通富微电 | 33.46 | CNY | +1.55% |
华天科技 | 11.25 | CNY | +1.53% |
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