英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列，预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

上月，存储芯片相关产业链中长江存储母公司长空集团、康芯微等企业也顺利完成融资。

HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即5月1日-5月5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日所有产品恢复报价。

2024年第四季度，东芯股份营业收入为1.94亿元，同比增长21.6%；归母净利润自去年同期亏损1.6亿元变为亏损3680万元，亏损有所减少。

主要受惠于优化产品组合与库存调整奏效，加上近期客户为因应政策风险提前下单，有助提升出货与价格弹性。

此前美国征收的“对等关税”政策中，包括存储芯片在内的半导体并未被直接纳入加征关税范围。目前，全球约30%的NAND Flash产能在中国，其次是韩国（约25%）、日本（约20%）和美国（约15%）等。如果针对存储半导体的专项关税出台将会对行业造成显著冲击。

JEDEC固态技术协会宣布发布HBM4标准JESD270-4，通过 2048-bit接口的传输速度高达 8 Gb/s，HBM4 将总带宽提升至 2 TB/s。

据韩媒报道，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%，该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。

这一增长主要得益于随着人工智能市场扩张，HBM的需求持续增长。

美光去年对韩美半导体TC键合机的采购量约为30~40台，而今年上半年的订单规模就超过了这一水平。

据韩媒引述业界消息，日前三星电子DS部门发布「临时职位公告」，主要针对晶圆代工事业部的制程、设备、制造领域人员，规划将数十名以上的晶圆代工事业部人力，按领域分别转调至存储制造技术中心、半导体研究所、全球制造与基础设施总部。

据路透社报道，美光通知美国客户，将于4月9日起对部分产品（内存条和固态硬盘等）征收与关税相关的附加费。其亚洲区NAND业务负责人表示："关税成本无法由企业自行消化，必须由客户来承担。"