据韩媒报道，在近日举办的AI-PIM半导体研讨会上，投资与证券机构负责人表示，“去年HBM的总需求约为3.2亿GB，需求预计为10亿至12亿GB。”

台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线，并手握存储器、车用等市场订单，抢占MRAM商机。

十铨表示，原厂减产效应发酵，去库存化效应浮现，合约价与现货价格持续回升，由于AI PC及高效能电脑的快速发展，带动各种AI应用，刺激PC规格升级需求提升，有望带动一波换机潮，十铨乐观看待2024年消费市场需求复苏状况。

累计2023全年合并营收新台币276.24亿元，较2022年同期新台币434.87亿元减少36.5％。

T-FORCE GE PRO PCIe 5.0 SSD采用InnoGrit全新12nm多核节能IG5666控制器，搭配高性能2,400MT/s NAND闪存，支持DRAM和SLC缓存，读取速度提升至 14,000 MB/秒。

V-COLOR推出Manta XFinity 系列DDR内存，专为极致速度和可靠性而设计，可通过简单的兼容性和增强的散热来促进高超频。

目前，澜起科技已将DDR5 RCD04工程样片送样给主要内存厂商，助力客户进行新一代内存产品研发。

报道称，有客户收到代理商通知，Plextor不再推出SSD产品，仍在保固期的产品，RMA服务将会在2024年1月1日全面转交SSSTC负责。

适逢元旦假期，按照国家节假日规定，放假3天，即2023年12月30日-2024年1月1日放假。放假期间，停止所有产品报价，1月2日（周二）恢复所有产品报价。

据韩媒报道，SK海力士在位于美国加州圣荷西的SK hynix America，新设NAND研发组织（SK HNA），强化新一代NAND研发竞争力，并与自英特尔收购的NAND子公司Solidigm相互加乘。

Rambus Gen 4 RCD 将数据速率提高至 7200 MT/s，树立了新的性能基准，并使内存带宽比当今的 4800 MT/s DDR5 模块解决方案增加了 50%。

来到下半年，原厂坚定涨价并控制资源供应态势下，存储产品价格水涨船高。根据比价网站数据，今年双十一期间存储产品价格已经普遍高于618期间，而上扬的价格也直接影响了产品销量，CFM闪存市场数据显示，今年下半年国内部分电商平台存储产品销售额同比表现下滑态势，11月份销售额同比下滑约10%。

研究团队表示，该研究成果能够在国内使用NAND闪存的半导体企业额外开发核心技术时实现快速应用和技术领先。

旺宏指出，与IBM的合作开发计划为期3年，将自今年12月31日开始，至2026年12月30日止，将支付研发费用及权利金。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推行一项计划，以将更先进的工艺应用于“逻辑芯片”，“逻辑芯片”是 HBM4（第六代 HBM）的重要组成部分。