三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示：以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²，较前代提升56%；输入输出接口速度5.6GT/s，提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息，三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准（PRA）”，即量产审批流程。在完成设计等开发流程，并达到目标性能和一定良率后，将转入量产。

尽管目前存在这些障碍，但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性，并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ（对应1c）工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地，还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展，其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”（VEU）名单，允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备，无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免，那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时，都需要单独办理许可手续。

据业界消息，前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技，7月正式就任。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后，据韩媒报道，三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试，并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

从HBM5开始，冷却技术将成为关键，通过3D异构集成和先进封装技术，将部分基础芯片（Base Die）移至HBM顶部。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

对于未来业绩展望，郭鲁正表示：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现计划。”

美光曾计划到2030年代中期，通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地，将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误，能否如期执行该计划尚不明朗。

首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片，将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin，该平台计划于明年发布。