随着今年存储芯片需求的回升，全球领先的存储芯片制造商三星电子、SK海力士以及日本的铠侠开始提高NAND闪存芯片的产量。

三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合，以提高存储芯片的性能和制造效率。

韩国专利管理公司MimirIP已对美光提起诉讼，称其侵犯了Mimir拥有的芯片相关专利。这起于6月3日提起的诉讼还针对了四家使用美光产品的公司：特斯拉、戴尔、惠普和联想。

据韩媒报道，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

RTS5782 具有八个 NAND 通道，支持接口速度为 3,600 MT/s 的NAND，支持 4K LDPC ECC 机制，甚至支持 LPDDR4X 缓存。顺序读取速度高达 14,000 MB/s，顺序写入速度高达 12,000 MB/s，4K 随机读/写 IOPS 为 250 万。

据了解，产能将从今年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模，并计划明年将产能扩大到20万张/月。

SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明，HBM 可以承受外部物理冲击，而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

双方预测，如果FDP技术得到广泛应用，将有助于降低总投资成本（TCO）并建立存储效率的新标准。

十铨认为，DRAM 及NAND Flash价格今年没有反转下跌的可能，至年底合约价应可维持双位数百分比的涨幅，后市也随生成式AI与边缘运算技术发展持续扩张，相信可望迎来存储市场旺季。

适逢端午节假期，按国家规定放假3天，即6月8-10日放假，6月10日所有产品均暂停报价，6月11日（星期二）恢复报价。

据韩媒报道，韩国政府已开始审查针对高带宽存储器 (HBM) 芯片制造所必需的材料、零部件和设备的政策支持，包括税收优惠。

SK海力士未来战略副总裁柳秉勋表示，“考虑到AI数据中心的建设速度，我们需要谨慎增加投资。”此前，存储厂商过度扩张产能，导致去年半导体市场低迷期间盈利能力大幅下降。SK海力士将保持保守的投资方式，以确保盈利能力。

此前有消息称，三星HBM因发热及功耗问题，未通过英伟达品质测试。对此，黄仁勋表示此传言并非事实，否认三星HBM品质测试不合格的传闻。

低温蚀刻可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

英伟达正式宣布在其下一代产品中搭载HBM4， AI芯片发布周期也有望从现有的两年加速到一年，将引发HBM开发速度的竞争。