业界认为，如果美国收紧出口管制，将对三星电子产生重大影响。目前三星HBM 销售额中占比30%由中国公司贡献。

NVMe 5016控制器可支持QLC、TLC以及MLC NAND，提供强大的纠错码 (ECC)。所有闪存管理操作均在芯片上执行，几乎不占用主机处理和内存资源。

单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元，容量为128GB，以及一层包含8,000 个神经元的神经电路。据 NEO 估计，每个芯片可支持高达 10 TB/s 的 AI 处理吞吐量。使用 12 个 3D X-AI 芯片与 HBM 封装堆叠可实现 120 TB/s 的处理吞吐量，从而将性能提高 100 倍。

FADU表示，这份供应合同意义重大，意味着该司客户群从大型科技公司、SSD模组厂、NAND原厂扩展到服务器公司。

韩国业界认为，这一供应具有重要意义，韩国设备厂向日本芯片厂商供应设备的案例并不多，日本半导体行业更青睐国产设备。

SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说，即采用“晶圆到晶圆（W2W）”技术，该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。

计算机、消费性电子及通讯相关新应用带动终端需求成长，NOR Flash订单状况好转，已回升至2022年水平，下半年等市场恢复，价格应可回升。

K2工厂原计划是2023年完工并稼动，投产后，整体北上工厂产能将扩增至现有产能的近2倍。此前由于存储市况不佳，该工厂延期至2024年完工。

晶豪科技表示，现阶段的关键在于下半年消费性需求是否能回升，以在手订单观察第三季营运，终端销量呈现小幅成长，预期营收表现可大致持稳。

G.SKILL宣布新款 Trident Z5 Royal Neo系列推出了超低延迟规格的 DDR5-6000 CL28-36-36-96 32 GB（2x16GB）和 64 GB（2x32GB）套装容量，以及 DDR5-6000 CL28-38-38-96 48 GB（2x24GB）和 96 GB（2x48GB）套装容量，专为兼容 AMD AM5平台而设计。

FDP技术可智能地在 QLC 闪存中分配数据，从而优化可用存储单元的使用并最大限度地减少写入放大的影响。FDP 算法根据工作负载和使用模式动态调整数据放置，确保最常访问的数据存储在 SSD 速度最快、最耐用的区域。这可以提高性能、延长耐用性和增强可靠性。

宇瞻表示，上年除了AI服务器应用动能外，其余领域市况持续疲弱，现阶段营运回升关键在于消费性需求是否回升，第三季则将是重要观察指标；整体来看，随着库存去化告一段落，预期拉货力道会有所增强，相关效应可望持续到第四季。

SK海力士称，已与主要客户完成了明年 HBM产量的讨论，并据此预测明年的出货量。

对于业绩变化的主要原因，聚辰股份表示，随着下游应用市场需求的逐步回暖，以及持续进行技术升级并不断加强对产品的推广及综合服务力度，其SPD产品、NOR  Flash产品、汽车级EEPROM 产品以及应用于工业控制等领域的工业级EEPROM 产品的出货量同比实现高速增长，带动公司 2024 年上半年的销售收入创出历史同期最好成绩。

消息称，三星电子HBM3目前仅用于专为中国市场制造的H20图形处理单元（GPU），目前尚不清楚是否会用于其他产品，以及是否需要通过额外的测试。三星最早可能在8月份开始为英伟达H20供应HBM3。