作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

普冉股份9月16日披露，拟以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司（简称“诺亚长天”）控股权，将实现对诺亚长天的控股，并间接控股其全资子公司SkyHigh Memory Limited（SHM），本次交易完成后，标的公司及SHM将被纳入公司合并报表范围。

英伟达已开始与三星电子、SK 海力士和美光合作对 SOCAMM 2进行样品测试。

新型AI SSD专为AI服务器设计，可部分替代作为GPU显存扩展的HBM，其随机读取性能预计将提升至约1亿 IOPS，可加速GPU的数据处理速度，相比传统SSD的读取速度提升100倍。

存储配置方面，iPhone 17 标准版砍掉128GB版本，提供 256GB和512GB，但内存仍停留在8GB。除iPhone 17标准版配备8GB内存，iPhone Air、iPhone 17 Pro 和 iPhone 17 Pro Max 均升级配备12GB内存，256GB存储容量起步， iPhone 17 Pro Max新增2TB存储顶配版本，手机2TB时代从此拉开序幕，未来单机存储容量也将不断提升。

9月8日，华澜微在浙江证监局办理辅导备案登记，正式启动A股上市进程，辅导机构为华泰联合证券。

据外媒报道，美国政府正提议对三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂，实施年度出口许可，以取代即将到期的「经验证最终用户」(VEU) 豁免。

目前，三星电子已完成HBM4的内部量产审批，并正在准备样品生产。

为应对成本压力，苹果正积极扩展供应链体系，并通过零部件采购谈判争取更优惠的价格，以降低整机物料清单（BOM）成本，从而维持利润率水平。

展望后市，随着PC与服务器市场在2025年底全面转向DDR5，宇瞻也将积极调整产品组合，布局服务器及高阶应用市场，预期DDR5与大容量SSD需求将成为未来成长动能。

随着原厂NAND产能加速切换至新制程，旧制程产出明显缩减，尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少，推动其现货价格逐渐上扬。与此同时，新旧制程的切换下令高容量NAND供应较为充足，使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整。

美国商务部工业安全局仅计划允许三星、SK海力士采购维持中国现有厂房运作的美国设备与技术，用来扩产或升级中国厂房的设备执照申请不会获得许可。

据分析，英伟达不急于确认HBM4 的供应商，主要是考虑适当延后决策时间有利于三大 DRAM原厂共同参与HBM4市场，英伟达作为需求方将在供方竞争中取得更大定价话语权。

晶豪科技强调，利基型市场的涨价通常落后于标准型产品，但只要涨势周期延长，效益仍会逐步反映，下半年合约价可望逐步上调，并于第四季显现。但汇率波动因存货评价方式的影响将持续，加上对等关税变数仍待观察，对整体景气的影响不可忽视。

ULTRARAM 是一款实验性存储器，旨在将 DRAM 速度与类似 NAND 的持久性相结合。经过一年的密切合作，双方已开发出一种工业级可扩展的外延工艺，用于 ULTRARAM 所依赖的化合物半导体层。