PC32CF-R CFexpress Type B卡采用高耐久性NAND Flash，PCIe Gen3x2接口，连续读取速度可达1,700 MB/s，连续写入速度可达1,600 MB/s，持续写入速度可维持在1,500 MB/s。

此外，ASML表示，其最先进产品EUV事业将经历「需求时序上的一些调整」，主要与晶圆厂整备的时间有关，「 一些因素当然与总体经济情势有关，人们对于这波景气下滑时期的长久度有些担心」。

台湾地区存储产业链厂商6月财务业绩均已发布，多家厂商6月营收环比回升或跌幅收窄，并看好下半年营收将好于上半年。

据韩媒报道，SK海力士在近期的投资者活动日中强调到，他们的HBM拥有比三星和美光更好的技术优势。

这些器件具有快速且高度可靠的读/写性能，在 SPI 模式下速度高达 50 MHz，在 Quad SPI (QSPI) 模式下速度高达 108 MHz，并具有10万亿次读/写周期的续航能力。

Vistara平台可加速上市时间，最大化大量制造的产能和产量，帮助客户解决持续增长的晶圆制造节奏和成本挑战，平台共配置数千个感测器，可将大量数据即时传送到应材的AIx™软体平台，该平台涵盖了研发、制程转移和扩产、以及大量制造等应用领域。

随着市场需求变化，为了更好地反映存储行情，CFM闪存市场于2023年7月18日新增服务器内存条产品报价。

今年第一季，三星DS部门营业亏损为4.58兆韩元，第二季亏损预估落在4兆韩元。以此计算，仅仅是今年上半年三星DS部门的营业亏损就将超过8兆韩元。

据CFM闪存市场数据，截止今年一季度，铠侠占全球NAND Flash市场份额为21.6%，西部数据占全球NAND Flash市场份额为15.2%，双方市占合计36.8%，高于位于市占榜首的三星的34.2%。

随着云端、边缘运算、物联网、大数据等技术发展，对存储容量的需求越来越高，再加上边缘运算系统需要处理来自各种感测器和设备的大量数据，同时还要执行复杂的运算和分析，而这些任务对于对存储容量和效能正提出越来越高的要求。

报告期内，搭载自主研发固件方案的嵌入式存储等行业客户产品已在部分渠道取得预期进展，产品各项性能指标满足客户要求，并已开始小批量交付，但具体业绩存在一定不确定性。

据日媒报道，TEL在2023年6月的半导体国际会议报告中，展示一项新的蚀刻技术，可以在400层以上的3D NAND堆叠结构形成存储通道孔洞（memory channel holes）。

在传统旺季来临及半导体库存逐步去化下，封测厂商下半年业绩有机会持续拼温和复苏，但因终端需求依然未见显著起色，实际回升力度需待观察。

十铨看好后续5G、AI、服务器对存储的需求，将着眼B2B 领域DDR5/SSD 的技术整合。

旺宏6月营收连续二个月走低，但仍站稳20亿元之上，主要反映终端市场需求不振，客户持续调整库存，但库存修正似乎已近尾声，第2季合并营收74.29亿元，季增4.6%，表现仍持稳。