目前，江波龙这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂（P4）目前正在安装半导体设备，将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00，1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70，512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20，256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。

自9月中旬起，Flash Wafer普遍全面迎来上涨行情，节后涨价气氛依然浓烈。

根据协议，三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相当于每月90万片晶圆。

分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

适逢国庆、中秋假期，按国家规定放假8天，即10月1-8日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月9日（星期四）恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 2.00% 至 $5.10，1Tb TLC 涨 1.79% 至 $5.70，512Gb TLC 涨 2.94% 至 $3.50，256Gb TLC 涨 3.23% 至 $3.20。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。

性能方面，顺序读写速度最高可达6800MB/s 和 5600MB/s，随机读写速度最高可达700K IOPS 和 800K IOPS。

消息人士透露，三星电子最近通过了英伟达对其12层HBM3E的质量测试，并即将开始出货。

PCI-SIG今年8月公布PCI Express 8.0规范开发计划，其原始比特速率在 PCIe 7.0 基础上再次翻倍，达到256 GT/s。在 ×16 配置下双向传输带宽可达 1TB/s，旨在满足未来人工智能及高性能计算领域对高速互联日益增长的需求。