三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时，连接存储单元（Cell）的通道孔必须比以往深得多。也就是说，通道孔的纵横比（深宽比）急剧增加，需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

具体来说，三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家，而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。

FADU表示，目前正与美国超大规模数据中心运营商合作，部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。

针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应CFM闪存市场：鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他 NAND 机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发，包括终止UFS5的开发。

据悉，三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品，并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍，同时功耗降低最多80%。

三星近期已完成1c DRAM开发，并结束量产转移前的生产认可流程（PRA）。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

该架构旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求，其32Kbit数据总线和单芯片高达512 Gbit的容量，带宽提升16倍，密度提升10倍，显著突破了传统HBM的局限性。

三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。

MLC产品线因营收占比低，未揭露具体数据，但旺宏看好后续eMMC放量出货，将推升整体NAND营收状况。

据悉，PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下，仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元（约合26亿美元）。

宇瞻看好，随着AI 产业持续火热，有助带动存储需求，包括服务器DDR5与企业SSD 的升级，也有助DRAM 与NAND市况。

据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续计划提升至17600MT/s，达到现行DDR5最高速度（约8000MT/s）的两倍以上。

三星原本计划在今年下半年实现量产，但内部采取了谨慎态度，将量产准备批准（PRA）期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试，1c DRAM的良率已达到65%。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能，将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉，SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求，该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。