此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。
SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求,该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。
值得注意的是,自2009年奇梦达破产后,欧洲已无大型存储芯片制造企业,全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM,将有望重塑欧洲半导体产业格局,提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。
美国密歇根州州长Gretchen Whitmer近日表示,在该州境内建造一座半导体制造设施的计划已因“国家层面的巨大经济不确定性”被公司放弃,且这一公司没有将项目转移到美国境内其它地点的计划。
目前,美光SOCAMM已率先获英伟达量产批准,三星和SK海力士SOCAMM尚未获得英伟达认证。
展望下半年,十铨指出,DDR4价格仍具上行空间,将持续优化产品组合与库存策略,掌握市况机会,推动营运持续成长。
该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。
三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。
据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。
尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。
美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。
目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。
三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。
目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。
据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。
存储原厂 |
三星电子 | 70300 | KRW | -1.68% |
SK海力士 | 261500 | KRW | +0.77% |
铠侠 | 2433 | JPY | +1.71% |
美光科技 | 117.740 | USD | +1.13% |
西部数据 | 79.910 | USD | +0.87% |
闪迪 | 47.770 | USD | +2.12% |
南亚科技 | 47.45 | TWD | +1.06% |
华邦电子 | 18.75 | TWD | +1.90% |
主控厂商 |
群联电子 | 482.0 | TWD | +0.52% |
慧荣科技 | 78.865 | USD | +1.53% |
联芸科技 | 52.20 | CNY | +0.08% |
点序 | 53.0 | TWD | +1.92% |
品牌/模组 |
江波龙 | 98.71 | CNY | +2.05% |
希捷科技 | 165.425 | USD | +0.87% |
宜鼎国际 | 270.5 | TWD | +9.96% |
创见资讯 | 98.5 | TWD | +0.31% |
威刚科技 | 100.5 | TWD | +1.72% |
世迈科技 | 24.550 | USD | +0.33% |
朗科科技 | 28.47 | CNY | +3.91% |
佰维存储 | 69.92 | CNY | -0.31% |
德明利 | 98.27 | CNY | -1.35% |
大为股份 | 18.75 | CNY | -1.99% |
封测厂商 |
华泰电子 | 44.65 | TWD | +1.94% |
力成 | 118.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 38.99 | CNY | -0.03% |
日月光 | 149.0 | TWD | +0.34% |
通富微电 | 29.89 | CNY | -0.43% |
华天科技 | 11.68 | CNY | +2.46% |
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