报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。这被解读为对现有生产线的一部分进行重组，使其专注于HBM和高性能服务器DRAM的生产，而不仅仅是简单地扩大产能。

据韩国半导体行业人士透露，三星电子最近已完成其平泽园区P2工厂所有1c DRAM设备的安装，此外还在加快设施投资，依次将设备引入P3和P4工厂。

兆易创新预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境，价格有望在今年第四季度进一步上行，并在明年维持相对较好的水平。

三星电子将为DGX Spark供应高性能存储解决方案PM9E1 SSD，读写速度最高可达14.5GB/s和13GB/s，最高支持4TB容量，并搭载第八代V-NAND和5nm控制器，显著提升了能效和稳定性，可最大限度地减少DGX Spark等AI超级计算系统中的数据瓶颈，并作为超高速计算处理的基础存储。

正如CFM闪存市场分析，基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先，手机嵌入式存储供应较为有限，预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 8.33% 至 $6.50，1Tb TLC 涨 7.46% 至 $7.20，512Gb TLC 涨 14.29% 至 $4.80。

郭鲁正表示，他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率，即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s，数据传输速度高达9,600 MT/s，高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求，这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出，AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬；SLC NAND在韩厂减产下，第三季也有涨价；NOR Flash受惠AIoT应用需求增加，带动需求，价格同步上扬。

目前，江波龙这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂（P4）目前正在安装半导体设备，将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00，1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70，512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20，256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。