据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。由于人工智能（AI）的普及，半导体需求迅速增长，三星电子正在寻求快速确保产能。

十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。

在 GPU 和 CPU 中，核心是能够独立进行计算的基本单元。例如，四核 GPU 意味着有四个核心可以进行计算，核心越多，计算性能越好。将核心放置在HBM上，旨在将之前集中在GPU上的计算功能卸载到内存中，从而减少数据传输和 GPU 本身的负担。

对于利基型DRAM 内存市场，兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续，并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平。

三星预计将通过对现有DRAM生产线的工艺升级以及对平泽4号工厂（P4）的新投资来实现20万片的产能。

三星电子计划通过转型投资来确保其NAND业务的竞争力，包括加速从V8向V9的过渡，以及扩大高容量QLC服务器闪存的销售。

旺宏董事长吴敏求表示，因数据中心建置需求庞大，旺宏近几个月相关的NOR Flash需求升温。此外，嵌入式存储产品eMMC也供不应求。

报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。这被解读为对现有生产线的一部分进行重组，使其专注于HBM和高性能服务器DRAM的生产，而不仅仅是简单地扩大产能。

据韩国半导体行业人士透露，三星电子最近已完成其平泽园区P2工厂所有1c DRAM设备的安装，此外还在加快设施投资，依次将设备引入P3和P4工厂。

兆易创新预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境，价格有望在今年第四季度进一步上行，并在明年维持相对较好的水平。

三星电子将为DGX Spark供应高性能存储解决方案PM9E1 SSD，读写速度最高可达14.5GB/s和13GB/s，最高支持4TB容量，并搭载第八代V-NAND和5nm控制器，显著提升了能效和稳定性，可最大限度地减少DGX Spark等AI超级计算系统中的数据瓶颈，并作为超高速计算处理的基础存储。

正如CFM闪存市场分析，基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先，手机嵌入式存储供应较为有限，预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。