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目前,三星电子已完成HBM4的内部量产审批,并正在准备样品生产。

为应对成本压力,苹果正积极扩展供应链体系,并通过零部件采购谈判争取更优惠的价格,以降低整机物料清单(BOM)成本,从而维持利润率水平。

展望后市,随着PC与服务器市场在2025年底全面转向DDR5,宇瞻也将积极调整产品组合,布局服务器及高阶应用市场,预期DDR5与大容量SSD需求将成为未来成长动能。

随着原厂NAND产能加速切换至新制程,旧制程产出明显缩减,尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少,推动其现货价格逐渐上扬。与此同时,新旧制程的切换下令高容量NAND供应较为充足,使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整。

美国商务部工业安全局仅计划允许三星、SK海力士采购维持中国现有厂房运作的美国设备与技术,用来扩产或升级中国厂房的设备执照申请不会获得许可。

据分析,英伟达不急于确认HBM4 的供应商,主要是考虑适当延后决策时间有利于三大 DRAM原厂共同参与HBM4市场,英伟达作为需求方将在供方竞争中取得更大定价话语权。

晶豪科技强调,利基型市场的涨价通常落后于标准型产品,但只要涨势周期延长,效益仍会逐步反映,下半年合约价可望逐步上调,并于第四季显现。但汇率波动因存货评价方式的影响将持续,加上对等关税变数仍待观察,对整体景气的影响不可忽视。

ULTRARAM 是一款实验性存储器,旨在将 DRAM 速度与类似 NAND 的持久性相结合。经过一年的密切合作,双方已开发出一种工业级可扩展的外延工艺,用于 ULTRARAM 所依赖的化合物半导体层。

受益于近年来持续完善在高附加值市场的产品布局,并不断加强对新产品的推广、销售及综合服务力度,聚辰股份 DDR5 SPD 芯片、汽车级 EEPROM 芯片和高性能工业级EEPROM芯片的出货量较上年同期实现快速增长,汽车级 NOR Flash 芯片成功导入多家全球领先的汽车电子Tier1供应商。

据韩媒引述业界消息称,韩国主要半导体企业正推迟或缩减对先进NAND闪存的设备投资计划。主要是由于需求不确定性较高,且投资主要集中在DRAM和先进封装领域,导致企业面临较大的投资压力。

三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时,连接存储单元(Cell)的通道孔必须比以往深得多。也就是说,通道孔的纵横比(深宽比)急剧增加,需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

具体来说,三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家,而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。

FADU表示,目前正与美国超大规模数据中心运营商合作,部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。

针对“美光近日中国区业务调整”一事,美光正式回应CFM闪存市场:鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他 NAND 机会增长放缓,我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发,包括终止UFS5的开发。

据悉,三星近日宣布将重新开发 Z-NAND 产品,并将性能目标设定为现有NAND Flash的最高15倍,同时功耗降低最多80%。

股市快讯 更新于: 10-11 10:50,数据存在延时

存储原厂
三星电子94400KRW+6.07%
SK海力士428000KRW+8.22%
铠侠6160JPY-0.96%
美光科技181.600USD-5.58%
西部数据115.420USD-3.58%
闪迪116.910USD-9.85%
南亚科技98.5TWD+8.48%
华邦电子43.45TWD+5.33%
主控厂商
群联电子882TWD+3.16%
慧荣科技85.800USD-8.89%
联芸科技57.50CNY-7.93%
点序73.5TWD+9.87%
品牌/模组
江波龙180.01CNY-3.32%
希捷科技214.380USD-3.30%
宜鼎国际405.0TWD+9.91%
创见资讯121.0TWD+3.42%
威刚科技179.5TWD+2.28%
世迈科技21.160USD-3.99%
朗科科技29.03CNY-3.55%
佰维存储96.50CNY-9.59%
德明利198.00CNY-4.84%
大为股份21.51CNY-0.78%
封测厂商
华泰电子52.4TWD+9.85%
力成159.0TWD+0.63%
长电科技43.77CNY-6.87%
日月光179.0TWD+2.58%
通富微电45.60CNY+3.19%
华天科技11.78CNY+4.16%