分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

适逢国庆、中秋假期，按国家规定放假8天，即10月1-8日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月9日（星期四）恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 2.00% 至 $5.10，1Tb TLC 涨 1.79% 至 $5.70，512Gb TLC 涨 2.94% 至 $3.50，256Gb TLC 涨 3.23% 至 $3.20。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。

性能方面，顺序读写速度最高可达6800MB/s 和 5600MB/s，随机读写速度最高可达700K IOPS 和 800K IOPS。

消息人士透露，三星电子最近通过了英伟达对其12层HBM3E的质量测试，并即将开始出货。

PCI-SIG今年8月公布PCI Express 8.0规范开发计划，其原始比特速率在 PCIe 7.0 基础上再次翻倍，达到256 GT/s。在 ×16 配置下双向传输带宽可达 1TB/s，旨在满足未来人工智能及高性能计算领域对高速互联日益增长的需求。

作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

普冉股份9月16日披露，拟以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司（简称“诺亚长天”）控股权，将实现对诺亚长天的控股，并间接控股其全资子公司SkyHigh Memory Limited（SHM），本次交易完成后，标的公司及SHM将被纳入公司合并报表范围。

英伟达已开始与三星电子、SK 海力士和美光合作对 SOCAMM 2进行样品测试。

新型AI SSD专为AI服务器设计，可部分替代作为GPU显存扩展的HBM，其随机读取性能预计将提升至约1亿 IOPS，可加速GPU的数据处理速度，相比传统SSD的读取速度提升100倍。

存储配置方面，iPhone 17 标准版砍掉128GB版本，提供 256GB和512GB，但内存仍停留在8GB。除iPhone 17标准版配备8GB内存，iPhone Air、iPhone 17 Pro 和 iPhone 17 Pro Max 均升级配备12GB内存，256GB存储容量起步， iPhone 17 Pro Max新增2TB存储顶配版本，手机2TB时代从此拉开序幕，未来单机存储容量也将不断提升。

9月8日，华澜微在浙江证监局办理辅导备案登记，正式启动A股上市进程，辅导机构为华泰联合证券。

据外媒报道，美国政府正提议对三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂，实施年度出口许可，以取代即将到期的「经验证最终用户」(VEU) 豁免。

目前，三星电子已完成HBM4的内部量产审批，并正在准备样品生产。