目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

HBM4是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048个，是HBM3E的两倍。HBM4最多支持16层，每个DRAM的容量也从24Gb扩展到32Gb。

上月，存储芯片相关产业链中长江存储母公司长空集团、康芯微等企业也顺利完成融资。

HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。

适逢五一劳动节，按国家规定放假5天，即5月1日-5月5日放假。放假期间所有产品均暂停报价，5月6日所有产品恢复报价。

2024年第四季度，东芯股份营业收入为1.94亿元，同比增长21.6%；归母净利润自去年同期亏损1.6亿元变为亏损3680万元，亏损有所减少。

主要受惠于优化产品组合与库存调整奏效，加上近期客户为因应政策风险提前下单，有助提升出货与价格弹性。

此前美国征收的“对等关税”政策中，包括存储芯片在内的半导体并未被直接纳入加征关税范围。目前，全球约30%的NAND Flash产能在中国，其次是韩国（约25%）、日本（约20%）和美国（约15%）等。如果针对存储半导体的专项关税出台将会对行业造成显著冲击。

JEDEC固态技术协会宣布发布HBM4标准JESD270-4，通过 2048-bit接口的传输速度高达 8 Gb/s，HBM4 将总带宽提升至 2 TB/s。

据韩媒报道，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%，该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。

这一增长主要得益于随着人工智能市场扩张，HBM的需求持续增长。

美光去年对韩美半导体TC键合机的采购量约为30~40台，而今年上半年的订单规模就超过了这一水平。

据韩媒引述业界消息，日前三星电子DS部门发布「临时职位公告」，主要针对晶圆代工事业部的制程、设备、制造领域人员，规划将数十名以上的晶圆代工事业部人力，按领域分别转调至存储制造技术中心、半导体研究所、全球制造与基础设施总部。

据路透社报道，美光通知美国客户，将于4月9日起对部分产品（内存条和固态硬盘等）征收与关税相关的附加费。其亚洲区NAND业务负责人表示："关税成本无法由企业自行消化，必须由客户来承担。"

这一增长主要得益于半导体行业下游市场需求的回暖，以及国家刺激措施对消费领域的提振。同时，AI PC等终端对存储容量的需求也推动了兆易创新在存储与计算领域的收入和销量大幅增长。