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值得注意的是,自2009年奇梦达破产后,欧洲已无大型存储芯片制造企业,全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM,将有望重塑欧洲半导体产业格局,提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。

美国密歇根州州长Gretchen Whitmer近日表示,在该州境内建造一座半导体制造设施的计划已因“国家层面的巨大经济不确定性”被公司放弃,且这一公司没有将项目转移到美国境内其它地点的计划。

目前,美光SOCAMM已率先获英伟达量产批准,三星和SK海力士SOCAMM尚未获得英伟达认证。

展望下半年,十铨指出,DDR4价格仍具上行空间,将持续优化产品组合与库存策略,掌握市况机会,推动营运持续成长。

该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

股市快讯 更新于: 09-16 16:27,数据存在延时

存储原厂
三星电子79400KRW+3.79%
SK海力士348000KRW+5.14%
铠侠4705JPY+5.97%
美光科技157.770USD+0.34%
西部数据102.390USD+4.84%
闪迪90.090USD+4.60%
南亚科技69.2TWD+9.67%
华邦电子27.95TWD+4.29%
主控厂商
群联电子688TWD+3.61%
慧荣科技90.010USD+1.44%
联芸科技51.40CNY+1.50%
点序68.4TWD+8.74%
品牌/模组
江波龙115.23CNY+3.52%
希捷科技211.120USD+7.72%
宜鼎国际347.5TWD0.00%
创见资讯118.5TWD+1.72%
威刚科技132.0TWD+2.72%
世迈科技26.140USD+0.38%
朗科科技26.90CNY+1.24%
佰维存储80.00CNY+0.69%
德明利125.50CNY+6.44%
大为股份17.60CNY-0.96%
封测厂商
华泰电子43.70TWD+2.10%
力成148.5TWD-1.66%
长电科技38.70CNY+2.33%
日月光169.5TWD+1.80%
通富微电33.46CNY+1.55%
华天科技11.25CNY+1.53%