郭鲁正表示，他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率，即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s，数据传输速度高达9,600 MT/s，高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求，这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出，AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬；SLC NAND在韩厂减产下，第三季也有涨价；NOR Flash受惠AIoT应用需求增加，带动需求，价格同步上扬。

目前，江波龙这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。

基于这一良率提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂（P4）目前正在安装半导体设备，将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00，1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70，512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20，256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。

自9月中旬起，Flash Wafer普遍全面迎来上涨行情，节后涨价气氛依然浓烈。

根据协议，三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相当于每月90万片晶圆。

分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

适逢国庆、中秋假期，按国家规定放假8天，即10月1-8日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月9日（星期四）恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 2.00% 至 $5.10，1Tb TLC 涨 1.79% 至 $5.70，512Gb TLC 涨 2.94% 至 $3.50，256Gb TLC 涨 3.23% 至 $3.20。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。