HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。

自9月中旬起，Flash Wafer普遍全面迎来上涨行情，节后涨价气氛依然浓烈。

根据协议，三星和SK海力士为OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相当于每月90万片晶圆。

分析称，SK海力士采取的战略是将经过稳定性验证的1b DRAM集中用于HBM4等核心产品线，同时在通用产品线中应用1c DRAM以扩大应用案例。继去年8月在业界首次推出采用1c工艺的16Gb DDR5后，近期又开发出基于1c工艺的GDDR7，持续扩大先进工艺产品组合。

适逢国庆、中秋假期，按国家规定放假8天，即10月1-8日放假，放假期间暂停所有产品报价，10月9日（星期四）恢复所有产品报价。9月28日、10月11日闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币正常报价。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 2.00% 至 $5.10，1Tb TLC 涨 1.79% 至 $5.70，512Gb TLC 涨 2.94% 至 $3.50，256Gb TLC 涨 3.23% 至 $3.20。

据现场资料显示，华为自研HBM高带宽内存分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，规格方面，HiBL 1.0容量128GB，带宽1.6TB/s；HiZQ 2.0容量144GB，带宽4TB/s。

性能方面，顺序读写速度最高可达6800MB/s 和 5600MB/s，随机读写速度最高可达700K IOPS 和 800K IOPS。

消息人士透露，三星电子最近通过了英伟达对其12层HBM3E的质量测试，并即将开始出货。

PCI-SIG今年8月公布PCI Express 8.0规范开发计划，其原始比特速率在 PCIe 7.0 基础上再次翻倍，达到256 GT/s。在 ×16 配置下双向传输带宽可达 1TB/s，旨在满足未来人工智能及高性能计算领域对高速互联日益增长的需求。

作为HBM4的关键组件，三星选择采用自家4nm制程生产，SK海力士则交由台积电12nm制程代工。美光未委托专业晶圆代工厂，而是自行以DRAM制程制作逻辑芯片，导致在满足英伟达最新效能要求上显得有些吃力。分析称，美光部分逻辑芯片可能需要重新设计。

普冉股份9月16日披露，拟以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司（简称“诺亚长天”）控股权，将实现对诺亚长天的控股，并间接控股其全资子公司SkyHigh Memory Limited（SHM），本次交易完成后，标的公司及SHM将被纳入公司合并报表范围。

英伟达已开始与三星电子、SK 海力士和美光合作对 SOCAMM 2进行样品测试。