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此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求,该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。

值得注意的是,自2009年奇梦达破产后,欧洲已无大型存储芯片制造企业,全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM,将有望重塑欧洲半导体产业格局,提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。

美国密歇根州州长Gretchen Whitmer近日表示,在该州境内建造一座半导体制造设施的计划已因“国家层面的巨大经济不确定性”被公司放弃,且这一公司没有将项目转移到美国境内其它地点的计划。

目前,美光SOCAMM已率先获英伟达量产批准,三星和SK海力士SOCAMM尚未获得英伟达认证。

展望下半年,十铨指出,DDR4价格仍具上行空间,将持续优化产品组合与库存策略,掌握市况机会,推动营运持续成长。

该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示:以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²,较前代提升56%;输入输出接口速度5.6GT/s,提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据韩媒引述业内人士消息,三星电子已完成D1c DRAM“生产准备批准(PRA)”,即量产审批流程。在完成设计等开发流程,并达到目标性能和一定良率后,将转入量产。

尽管目前存在这些障碍,但业界强调为这些技术建立生态系统基础的重要性,并预测 AI内存需求结构将逐渐多样化。

美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ(对应1c)工艺生产的LPDDR5X样品。

目前三星电子内部仍在讨论是将 PH2 用作 DRAM 生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。DRAM生产线PH4目前暂无进展,其建设工作已处于收尾阶段。

三星电子计划将新设计应用于其1c DRAM。预计以此方式生产的 DRAM 将用于计划于下半年生产的HBM4。

目前三星、SK海力士被列入了“强制出口管制”(VEU)名单,允许进口除EUV曝光设备以外的所有设备,无需单独许可。如果特朗普政府取消这项豁免,那么每次向中国工厂引入新设备或替换设备时,都需要单独办理许可手续。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

股市快讯 更新于: 09-19 01:02,数据存在延时

存储原厂
三星电子80500KRW+2.94%
SK海力士353000KRW+5.85%
铠侠4520JPY+1.80%
美光科技170.000USD+6.26%
西部数据105.825USD+4.84%
闪迪101.160USD+7.65%
南亚科技80.0TWD+9.14%
华邦电子32.30TWD+9.86%
主控厂商
群联电子722TWD+4.94%
慧荣科技90.980USD+2.85%
联芸科技49.11CNY-2.56%
点序73.9TWD+9.97%
品牌/模组
江波龙113.99CNY-0.64%
希捷科技219.330USD+2.80%
宜鼎国际353.5TWD+3.67%
创见资讯118.5TWD+0.42%
威刚科技137.0TWD+2.24%
世迈科技27.745USD+5.57%
朗科科技26.13CNY-1.88%
佰维存储77.84CNY-2.09%
德明利128.19CNY-2.51%
大为股份17.11CNY-1.78%
封测厂商
华泰电子46.60TWD-3.02%
力成149.5TWD+3.10%
长电科技39.13CNY+0.93%
日月光170.0TWD+0.59%
通富微电34.84CNY+3.23%
华天科技11.27CNY+0.71%