消息称部分原厂放缓先进NAND闪存投资速度

据韩媒引述业界消息称，韩国主要半导体企业正推迟或缩减对先进NAND闪存的设备投资计划。主要是由于需求不确定性较高，且投资主要集中在DRAM和先进封装领域，导致企业面临较大的投资压力。

三星电子从年初起开始推进平泽P1工厂和西安NAND工厂的产线转换投资，核心是将原生产第六、七代NAND的产线转换为第八、九代产线。产线转换投资相较于新建产线具有投资成本低、可改造部分现有设备的优势，效益更高。

报道称，近期三星电子先进NAND产线转换速度呈现放缓趋势。平泽P1工厂的第八代NAND转换虽按计划推进，但原定最早于今年二季度启动的第九代NAND转换投资已被推迟。

西安工厂情况也类似。进行第八代转换的X1产线投资已进入收尾阶段，而进行第九代转换的X2产线计划仅在第三季度执行月产能5千片的投资规模。业界人士分析称，三星电子计划在X2产线持续量产V6等旧款NAND直至明年第一季度，第九代转换全面启动至少要等到明年年中，原因是先进NAND需求疲软。

此外，消息称，三星电子对下一代NAND及技术的投资也持续保持保守基调。三星原计划在西安X2产线率先试点V9 NAND混合键合技术，但近期已取消该计划。三星计划在400层以上的V10 NAND量产时开始应用该技术，而V10的量产投资最快也要到明年年中。

SK海力士同样将当前投资重点集中于尖端DRAM和HBM产品。SK海力士在其2025年第二季度业绩电话会议中表示："将根据NAND前端需求状况保持审慎投资基调，坚持盈利导向的经营策略。"