Marvell推出新一代PCIe Retimer产品线，扩展连接性组合以提升加速基础设施的计算结构

发布于：2024-05-31 来源：网络

Marvell 宣布推出基于行业领先的5纳米PAM4技术的新一代Alaska® P PCIe Retimer产品线，旨在扩展数据中心计算结构内的连接性，以支持加速服务器、通用服务器、CXL系统和分离式基础设施。新产品线包括8和1...

宜鼎二厂7月启用，产能利用率提高至6-7成后启动三厂规划

发布于：2024-05-31 来源：网络

目前规划一厂集中生产工控及物联网存储模组、二厂则配置AI系统、周边产品及视觉辨识相机模组的产线。

Marvell最新财报：数据中心业务大涨87%，其他业务均表现下滑

发布于：2024-05-31 来源：网络

Marvell首席执行官Matt Murphy表示，虽然短期内面临挑战，但受数据中心持续增长以及企业网络和运营商基础设施开始复苏的推动，他对公司本财年下半年的形势持乐观态度。

力成：今年资本支出大增5成，HBM按计划开发，逐步扩产

发布于：2024-05-30 来源：网络

对于第2季度营收预估，力成此前目标季成长中个位数百分比（约5-6%），有机会挑战高个位数百分比（约7-9%），下半年新产品逐渐贡献营收，看好AI服务器应用强劲。

慧荣科技推出用于高密度便携式SSD的主控芯片

发布于：2024-05-30 来源：网络

慧荣科技推出SM2322主控芯片SM2322，支持QLC NAND，提供高达8TB的容量和20Gbps的数据传输速度，适用于外置便携式SSD解决方案，已向多家客户提供样品，将于今年中期投入量产。

美光CZ120内存扩展模块获认可，加速生态系统采用CXL 2.0内存

发布于：2024-05-30 来源：网络

美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应，未来几个季度供应量将继续增加。

DRAM微细化趋势下，SK海力士和三星电子致力于新型材料开发与应用

发布于：2024-05-29 来源：网络

随着DRAM微细化的持续发展，SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶（Photoresist, PR）之一的金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist, MOR）表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在...

南亚科技：受地震影响Q2获利有压力，预计Q3有望转盈

发布于：2024-05-29 来源：网络

南亚科技表示，从市场总需求位元数来看，HBM比例低于5%，较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象，李培英表示乐观其成，并认为将持续到明年。

三星联合KAIST开发新铁电材料，3D NAND有望突破1,000层

发布于：2024-05-28 来源：网络

据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

美光科技宣布在日本广岛县新建DRAM芯片厂，预计2027年底投入运营

发布于：2024-05-28 来源：网络

美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。