DRAM微细化趋势下，SK海力士和三星电子致力于新型材料开发与应用

发布于：2024-05-29 来源：网络

随着DRAM微细化的持续发展，SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶（Photoresist, PR）之一的金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist, MOR）表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在...

南亚科技：受地震影响Q2获利有压力，预计Q3有望转盈

发布于：2024-05-29 来源：网络

南亚科技表示，从市场总需求位元数来看，HBM比例低于5%，较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象，李培英表示乐观其成，并认为将持续到明年。

三星联合KAIST开发新铁电材料，3D NAND有望突破1,000层

发布于：2024-05-28 来源：网络

据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

美光科技宣布在日本广岛县新建DRAM芯片厂，预计2027年底投入运营

发布于：2024-05-28 来源：网络

美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。

慧荣科技：NAND有望涨至明年上半年，看好大陆AI手机发展进程领先全球

发布于：2024-05-27 来源：网络

苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球，强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统，更跨足车联网系统，使手机成为很重要的载体，在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。

美光在专利诉讼中败诉，面临4.45亿美元赔偿

发布于：2024-05-27 来源：

美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉，整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利，分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此...

佰维存储全新LOGO升级，引领技术创新与共赢战略

发布于：2024-05-25 来源：佰维存储

深圳佰维存储科技股份有限公司宣布从5月25日起启用全新的品牌标识。

美光2025年HBM供应谈判已基本完成

发布于：2024-05-24 来源：网络

美光高层预测，HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%，从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM，有望推升2025年度营收。

SK海力士考虑在日美建设HBM工厂以应对AI芯片需求

发布于：2024-05-24 来源：网络

SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露，公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储（HBM）工厂的可能性，以应对人工智能（AI）对高性能芯片的激增需求。同时，SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性，...

创见推出工业级CFast存储卡：最大容量1TB

发布于：2024-05-24 来源：网络

CFX730与CFX610符合CFast 2.0规范，采用112层3D NAND Flash与SATA III 6Gb/s传输接口，提供高达1TB的存储容量，提供宽温规格（-40°C~85°C），能抵御严苛的运作环境。