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随着DRAM微细化的持续发展,SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶(Photoresist, PR)之一的金属氧化物光刻胶(Metal Oxide Resist, MOR)表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在...

南亚科技表示,从市场总需求位元数来看,HBM比例低于5%,较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象,李培英表示乐观其成,并认为将持续到明年。

据韩媒报道,三星与KAIST等研究机构合作,正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

美光近日宣布了一项重大投资计划,将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导,这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。

苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球,强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统,更跨足车联网系统,使手机成为很重要的载体,在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。

美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉,整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利,分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此...

佰维存储全新LOGO升级,引领技术创新与共赢战略

发布于:2024-05-25 来源:佰维存储

深圳佰维存储科技股份有限公司宣布从5月25日起启用全新的品牌标识。

美光2025年HBM供应谈判已基本完成

发布于:2024-05-24 来源:网络

美光高层预测,HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%,从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM,有望推升2025年度营收。

SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露,公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储(HBM)工厂的可能性,以应对人工智能(AI)对高性能芯片的激增需求。同时,SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性,...

创见推出工业级CFast存储卡:最大容量1TB

发布于:2024-05-24 来源:网络

CFX730与CFX610符合CFast 2.0规范,采用112层3D NAND Flash与SATA III 6Gb/s传输接口,提供高达1TB的存储容量,提供宽温规格(-40°C~85°C),能抵御严苛的运作环境。

股市快讯 更新于: 06-06 12:26,数据存在延时

存储原厂
三星电子59100KRW+2.25%
SK海力士224500KRW+3.22%
铠侠2202JPY+4.07%
美光科技106.290USD+2.94%
西部数据55.050USD+1.14%
闪迪39.120USD-1.76%
南亚科技52.3TWD-0.38%
华邦电子18.35TWD+1.38%
主控厂商
群联电子529TWD-0.19%
慧荣科技66.480USD+1.28%
联芸科技38.59CNY+0.76%
点序64.7TWD+9.85%
品牌/模组
江波龙74.30CNY+2.62%
希捷科技127.700USD+0.05%
宜鼎国际244.5TWD+2.95%
创见资讯105.0TWD+1.45%
威刚科技98.7TWD+5.34%
世迈科技19.050USD0.00%
朗科科技22.89CNY+1.51%
佰维存储61.96CNY+0.47%
德明利120.94CNY-1.57%
大为股份16.49CNY+10.01%
封测厂商
华泰电子40.75TWD-0.37%
力成123.5TWD+2.92%
长电科技33.01CNY-0.03%
日月光138.0TWD-1.08%
通富微电23.92CNY-0.21%
华天科技8.96CNY+0.34%