美光量产12层堆叠36GB HBM3E：内存带宽1.2TB/s以上

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

据CFM闪存市场了解，SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E，三星12层HBM3E芯片已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

三星电子公布DDR发展路线图

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。

消息称SK海力士明年HBM产能将达15万片/月，未来将专注最先进HBM产品

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品，希望将大部分产能集中在最新一代HBM上，同时逐步淘汰旧产品。

南亚科技：预计全年DRAM量价齐升，出货量年增逾20％！

发布于：2024-09-05 来源：CFM闪存市场

南亚科技预计2025年底，1B制程月产能将超过20K片，而20nm旧制程月产能将下降至约36K片，1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子制定“交钥匙”方案，助力客户自主设计HBM

发布于：2024-09-05 来源：网络

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务，并与广泛的生态系统合作伙伴一起，满足客户的不同需求。

SK海力士预计9月底量产12层HBM3E，同时推动HBM和SSD主控定制化

发布于：2024-09-05 来源：CFM闪存市场

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器（HBM3E），并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

SK海力士：明年下半年出货12层HBM4，HBM4 16层将采用MR-MUF工艺

发布于：2024-09-04 来源：CFM闪存市场

SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术，在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术，并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。

得一微电子荣获“广东省制造业单项冠军企业”

发布于：2024-09-03 来源：得一微电子

得一微电子股份有限公司（YEESTOR）凭借其在半导体存储芯片领域的卓越表现与技术创新实力，荣耀加冕，荣获“广东省制造业单项冠军企业”称号。

得一微电子荣获“维科杯OFweek 2024汽车行业新锐企业奖”

发布于：2024-09-02 来源：得一微电子

得一微电子已成功推出了多款车规级eMMC存储芯片，这些产品被广泛应用于数字仪表、T-Box、ADAS、智能座舱、车载信息娱乐系统等多个汽车场景，且在-40℃至105℃的极端环境中能够稳定运行。

少年逐梦中国“芯”——佰维存储第三届“Factory Tour”活动圆满收官！

发布于：2024-08-30 来源：佰维存储

又逢一年暑假季，佰维存储“Factory Tour”开放日活动再次闪耀登场，以科技之光召唤着怀揣理想、充满创新精神的青少年们。