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三星量产1Tb QLC第九代V-NAND,存储密度提升约86%

发布于:2024-09-12 来源:CFM闪存市场

三星电子计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始,逐步扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

群联电子8月合并营收48.06亿元(新台币,下同),同比增长20.43%,环比增长2.11%;累计1-8月营收419.32亿元,同比增长53%,为历史同期次高。

其中,8月封测及材料业务营收291.75亿元,环比增长6.3%、同比增长2.4%,占8月整体营收的55.12%。

此次新产品采用的第五代PCIe带宽比现有第四代(Gen4)高一倍,PEB110的数据传输速度达到了32GTs(千兆传输/秒)。由此,PEB110的性能较上一代产品提升一倍,能效提升了30%以上。

对于未来展望,华邦电子表示,NOR接近供需平衡的状态预计将持续今年全年,上半年各渠道的SLC NAND存货需要时间消化;预计2025年供需将吃紧;强劲的AI需求使主要供货商专注于HBM和主流DRAM,利基型DRAM供应将减少...

展望后市,法人表示,京元电子掌握AI大客户订单,目前AI贡献营收比重已突破1成,受惠客户持续追单,看好下半年营收逐季向上。

威刚:8月营收环比基本持平,对DRAM市况维持乐观

发布于:2024-09-09 来源:CFM闪存市场

威刚表示,第3季营收有望维持稳定,在过去几季低价库存优势加持下,预计单季毛利率与营运绩效仍将维持不错表现。

美光量产12层堆叠36GB HBM3E:内存带宽1.2TB/s以上

发布于:2024-09-06 来源:CFM闪存市场

据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

三星电子公布DDR发展路线图

发布于:2024-09-06 来源:CFM闪存市场

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

股市快讯 更新于: 09-15 22:30,数据存在延时

存储原厂
三星电子76500KRW+1.46%
SK海力士331000KRW+0.76%
铠侠4440JPY+10.86%
美光科技157.910USD+0.43%
西部数据102.730USD+5.19%
闪迪89.738USD+4.19%
南亚科技63.1TWD+9.93%
华邦电子26.80TWD+5.30%
主控厂商
群联电子664TWD+6.41%
慧荣科技90.070USD+1.51%
联芸科技50.64CNY+1.32%
点序62.9TWD+9.97%
品牌/模组
江波龙111.31CNY+0.30%
希捷科技210.300USD+7.30%
宜鼎国际347.5TWD+2.06%
创见资讯116.5TWD+4.95%
威刚科技128.5TWD+6.64%
世迈科技26.155USD+0.44%
朗科科技26.57CNY-0.45%
佰维存储79.45CNY-1.12%
德明利117.91CNY+7.41%
大为股份17.77CNY-0.56%
封测厂商
华泰电子42.80TWD+1.42%
力成151.0TWD+6.34%
长电科技37.82CNY-0.16%
日月光166.5TWD-0.30%
通富微电32.95CNY-0.48%
华天科技11.08CNY-1.07%