276层！美光第九代NAND闪存技术宣布量产

发布于：2024-07-31 来源：网络

与上一代 NAND 一样，美光G9 NAND采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装，占用空间比竞争产品减少 28%，是目前最小的高密度 NAND。

力成：Q2营收环比增长7%，逻辑营收比重不断提升

发布于：2024-07-30 来源：网络

按产品线区分，逻辑营收比重不断提升，第二季已经提升至40%，NAND约27%，DRAM 24%，SiP/Module 约9%。

得一微电子CEO吴大畏：存储芯片在AI端侧的创新应用

发布于：2024-07-30 来源：得一微电子

吴大畏先生在演讲中，探讨了存储芯片和AI端侧设备未来应用的方向，这些方向虽不一定都会成为未来，但无疑具有引领市场的潜力，可能预示着真实的未来趋势。

SK海力士推出高性能GDDR7：运行速度高达32Gbps

发布于：2024-07-30 来源：SK海力士

SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps（每秒32千兆字节）的运行速度，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒1.5TB（太字节）以上的数据处理，其相当于...

Solidigm或将在美IPO

发布于：2024-07-29 来源：网络

据韩媒韩国经济日报（hankyung）报道，NAND闪存与固态硬盘公司Solidigm或将在美国进行首次公开募股（IPO）。

佰维存储荣获“2024最具价值科创板上市企业”

发布于：2024-07-29 来源：

佰维存储成功斩获“2024最具价值科创板上市公司”与“2024科创板上市企业最佳董秘”双项荣誉。

三星电子将HBM组装检测工艺外包给子公司STeco

发布于：2024-07-29 来源：网络

三星电子计划将其高带宽存储器（HBM）的组装检测工艺外包给子公司STeco，以应对产能需求和改善生产效率。STeco将投资335亿韩元用于新业务的基础设施投资，预计2025年内完成投资。此举可能标志着三星电子HBM产品后...

67.8亿美元！SK海力士龙仁半导体集群投资计划获董事会决议

发布于：2024-07-26 来源：SK海力士

SK海力士计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。

年产60亿颗！长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目即将投产

发布于：2024-07-26 来源：网络

长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目总投资额100亿元，一期建成后，可达年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。

得一微电子冠名CCF Chip 2024存储论坛，院士专家齐聚引领存算技术融合发展

发布于：2024-07-25 来源：

得一微电子致力于在存储控制、存算一体、存算互联等前沿领域保持技术领先地位，为数据中心、云计算、人工智能等领域提供更加高效、可靠的存储解决方案。公司自主掌握所有存储控制器的核心IP，正在利用AI技术实现...