Rambus Gen 4 RCD 将数据速率提高至 7200 MT/s，树立了新的性能基准，并使内存带宽比当今的 4800 MT/s DDR5 模块解决方案增加了 50%。

过去10年间，中国不仅在半导体小部件（材料、零件、装备）领域，还在旧型通用半导体和最尖端半导体等领域获得了大量技术专利。但中国半导体专利被引用指数（CPP）仅2.89，低于美国（6.96）和韩国（5.15）。

11月韩国半导体生产指数环比增长12.8%，这主要得益于DRAM和NAND Flash等存储芯片产量的提升。

来到下半年，原厂坚定涨价并控制资源供应态势下，存储产品价格水涨船高。根据比价网站数据，今年双十一期间存储产品价格已经普遍高于618期间，而上扬的价格也直接影响了产品销量，CFM闪存市场数据显示，今年下半年国内部分电商平台存储产品销售额同比表现下滑态势，11月份销售额同比下滑约10%。

研究团队表示，该研究成果能够在国内使用NAND闪存的半导体企业额外开发核心技术时实现快速应用和技术领先。

旺宏指出，与IBM的合作开发计划为期3年，将自今年12月31日开始，至2026年12月30日止，将支付研发费用及权利金。

以色列政府要求英特尔在2028 年之前开始在该工厂运营，并至少持续到2035 年。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推行一项计划，以将更先进的工艺应用于“逻辑芯片”，“逻辑芯片”是 HBM4（第六代 HBM）的重要组成部分。

整体上，在SSD产品市场，排名前十的存储品牌享有总体市约65%，前三名品牌合计占整体市场约30%市场份额。

据外媒报道，三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产开始时间推迟至2025年。最初，预计将于明年开始批量生产。据推测，延迟与美国政府补贴和各种许可复杂性相关的问题相关。

过去广颖以NAND Flash产品为主，但也持续扩大不同存储产品销售，近年来DRAM产品占比提升，截至今年前3季，占比已超17.6%，未来将会扩展DRAM业务，尤其是电竞相关领域。