SK海力士专注于人工智能应用的高带宽内存（HBM），正在内部调整“后处理”（封装）人员以扩大生产规模。此举旨在快速扩大其后处理团队的规模，这对于确定 HBM 生产能力、确保其在技术上保持领先至关重要。

获得认证意味着三星基于 PCle Gen5 的服务器 SSD PM1743 与 VMware 的 vSAN 相结合，可提供最佳的性能和效率。

报道称，三星电子计划在今年下半年推出第五代 HBM 芯片 HBM3P，并在明年将目前的 HBM 产能提高一倍以上，并提供先进封装服务。

十铨科技宣布，已与美国知名代理商ASI Computer Technologies 展开合作，旨在持续深耕北美市场，结合ASI Computer Technologies在美洲市场超过35年的代理商经历以及广泛的经销资源，携手抢攻十铨科技在北美地区市占率。

三星电子正在加紧努力，增强下一代NAND闪存的竞争力。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。

今年年初三星电子NAND库存超过20周，最高飙升至28周，但最近已降至18周，有达到顶点后下降的趋势。

澜起科技的CXL内存扩展控制器(MXC)芯片成功通过了CXL联盟组织的CXL1.1合规测试，被列入CXL官网的合规供应商清单。

固件更新并没有解决产品的原有问题，断开连接的问题还未解决，还出现了随机故障。西部数据也因此被告上法庭，原告称驱动器故障问题影响了美国数十万人。

十铨表示，工业产品线的极宽温存储产品系列均通过了验证实验室的ISO-16750 Road vehicles - 5.1.2 高温测试和AEC-Q104－Temperature Cycling测试。

据媒体报道，三星电子为保持其在NAND flash上的成本竞争优势，计划在300层以上堆叠的3D NAND中继续采用双次堆叠（double-stack）技术。

按出口地区来看，对日出口时隔10个月由降转增，增幅为23.2%。对华、对越南、对美国、对欧盟的出口分别减少27.7%、18.6%、28.3%、24.9%。

据悉，三星电子P1 NAND Line是主打V6 NAND的生产线。V6代表第六代，即128层NAND Flash。128层V-NAND系列工艺相对成熟。

截至今年6月底，负责三星电子半导体业务的DS部门的库存为336,896亿韩元， SK海力士为164,202亿韩元。与去年底相比，分别增长15.9%和4.8%。

三星在一份声明中表示：“与堆叠八个 32 TB SSD 相比，尽管存储相同数量的数据，一个 256 TB SSD 的功耗大约要低七倍。”

PBlaze7 7940系列PCIe 5.0企业级NVMe SSD可提供2,800K IOPS的4K随机读性能，700K IOPS的4K随机写性能，分别达上一代PCIe 4.0主流产品的2.5倍和1.7倍。