十铨DDR5 VLP ECC U-DIMM提供多种容量选项，从 16GB 到 48GB，允许用户根据其平台的工作负载和计算需求选择最合适的容量套件。

性能方面，读取速度高达3,400 MB/s，突发写入速度高达3,000 MB/s，持续写入速度高达2,800 MB/s。

Intel在最新一篇介绍EMiB、Foveros封装技术的文章中，展示了整合LPDDR5X内存芯片的酷睿Ultra处理器（Meteor Lake）。

按应用来看车用市场相对有撑，出货量较去(2022)年下跌的幅度也较小，看好下半年车用会逐季转佳，但不会是爆发型的成长，长期来看，在自驾车以及车用电子趋势下，采用的存储器会持续增加。

在封装技术上，Cache DRAM与HBM也有较大区别，HBM目前是水平连接至GPU，但Cache DRAM将垂直连接于GPU。传言，Cache DRAM只须一个芯片就能储存一个HBM的资料量。

报告还称，由于NAND的价格已经触底，群联目前已看到来自大陆市场的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

继三星在8月份涨价后，美光亦自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%。

卢东晖表示，目前应用在AI及服务器等应用的高频宽存储器(HBM)需求非常强劲，但目前HBM占美光比重仍低，整体DRAM景气还需待手机、个人电脑等需求回升，才能确立整体景气复苏。

英特尔新一代消费型笔电平台「Meteor Lake」预计第4季问世，搭载的DRAM由目前主流DDR4升级为DDR5。

由于生成式人工智能市场的增长速度快于预期，英伟达最初将订单集中在 SK 海力士公司。据了解，三星电子也因需求增长而成为供应商。

据媒体报道，美光台湾厂区董事长卢东晖表示，美光有多达65%的DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1γ制程，是美光第一代采用极紫外光（EUV）的制程技术，将在2025年上半年先在台中厂量产。

Vistara 平台连接多个腔室，在真空环境中执行连续工艺。由此，可以降低芯片中出现缺陷的概率，并且可以减少芯片传送的时间。由于可以减小设备尺寸，因此也很容易提高制造工厂的能源和生产效率。

8Gb DDR4产品在按计划推进研发，预计会在2024年有样品。此产品应用领域比较广泛，主要包括TV、机顶盒等。

顺序读取速度高达12,400 MB/s，顺序写入速度高达 11,800 MB/s。与 PCIe Gen4.0 x4 相比，AORUS Gen5 12000 SSD 的读取吞吐量提高了约 70%，写入吞吐量提高了 72%。

三星正试图减少需求减少的产品产量，并将生产转移到目前商用产品中最先进的236层NAND。由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著，意味着可以快速减少128层NAND的库存。