在即将到来的10nm以下DRAM和1000层NAND时代，新结构和材料的创新非常重要。对于 DRAM，三星正在研究和开发 3D 堆叠结构和新材料，对于NAND，正在增加级数，同时降低高度并最大限度地减少单元之间的干扰。

据韩媒报道，有预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合技术，以提高DRAM的集成度，量产64Gb以上的DRAM产品。

三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备，新机器预计将在今年年底交付。

引述消息人士说法，三星正考虑自第4季起增产DDR5，并规划持续减产DDR4通用产品、NAND Flash成熟制程产品。

然而，消息称，由于SK海力士对铠侠进行间接出资，而SK海力士可能对此次合并进行了反对投票，因此能否在本月内达成协议仍有变量。

宇瞻全新推出的DDR5正宽温内存条产品线包括UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM和ECC SODIMM等多种规格。支持高达4800MT/s和5600MT/s的传输速率，并提供8GB、16GB和32GB等多种容量选择。

据韩媒报道，预计SK海力士第三季度营业亏损将比第二季度减少1.3万亿韩元。预计DRAM将成功扭亏为盈，NAND将录得2万亿韩元的赤字，第三季度营业亏损将改善至1.5万亿韩元。

公司首颗自研SATASSD主控芯片TW6501正在回片验证阶段，目前整体测试结果符合预期。未来公司将自研PCIeSSD主控芯片，积极开拓PCOEM、服务器、数据中心等领域。

展望2024年，旺宏维持先前的保守看法，吴敏求认为，过去两年客户库存水位上升，如今经济衰退，拉货力量减少，库存去化时程恐超过预期，保守氛围直至明年上半年，预期最快明年下半年好转。

德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司，有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务，提高公司资产运营效率，降低管理成本，提升公司盈利能力。

据韩媒报道，三星电子一位高管表示，目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片，以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。

据业内人士透露，三星电子正在考虑扩大DDR5生产线。

此外，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。

分析师表示，三星削减芯片产量也损害了规模经济，提高了芯片制造成本。

美国政府已将三星电子和SK海力士在中国的芯片工厂指定为“经过验证的最终用户（VEU）”，这将允许美国出口商将指定物品运送到预先批准的实体，从而减轻他们的许可负担。