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随着这一逆转,三星电子与Netlist之间的专利诉讼诉讼进入了新阶段。如果三星电子最终获胜,预计将影响 Netlist 提起的其他专利诉讼。

随着减产效果显现,9月存储产业厂商营收略见回暖。截至目前,已公布数据的台湾存储产业链企业营收表现如何?

粘合工艺是 HBM 的关键制造步骤,预计将会出现激烈的竞争。

CXL 是一种新颖的接口,旨在更有效地利用计算系统中的中央处理单元 (CPU)、内存、图形处理单元 (GPU)、存储设备等。SK海力士公布的实证结果表明,通过使用下一代CXL内存,可以将数据处理能力提高40%以上。

在即将到来的10nm以下DRAM和1000层NAND时代,新结构和材料的创新非常重要。对于 DRAM,三星正在研究和开发 3D 堆叠结构和新材料,对于NAND,正在增加级数,同时降低高度并最大限度地减少单元之间的干扰。

据韩媒报道,有预测认为,随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈,未来DRAM制程可能引进混合键合技术,以提高DRAM的集成度,量产64Gb以上的DRAM产品。

三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备,新机器预计将在今年年底交付。

引述消息人士说法,三星正考虑自第4季起增产DDR5,并规划持续减产DDR4通用产品、NAND Flash成熟制程产品。

然而,消息称,由于SK海力士对铠侠进行间接出资,而SK海力士可能对此次合并进行了反对投票,因此能否在本月内达成协议仍有变量。

宇瞻全新推出的DDR5正宽温内存条产品线包括UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM和ECC SODIMM等多种规格。支持高达4800MT/s和5600MT/s的传输速率,并提供8GB、16GB和32GB等多种容量选择。

据韩媒报道,预计SK海力士第三季度营业亏损将比第二季度减少1.3万亿韩元。预计DRAM将成功扭亏为盈,NAND将录得2万亿韩元的赤字,第三季度营业亏损将改善至1.5万亿韩元。

公司首颗自研SATASSD主控芯片TW6501正在回片验证阶段,目前整体测试结果符合预期。未来公司将自研PCIeSSD主控芯片,积极开拓PCOEM、服务器、数据中心等领域。

展望2024年,旺宏维持先前的保守看法,吴敏求认为,过去两年客户库存水位上升,如今经济衰退,拉货力量减少,库存去化时程恐超过预期,保守氛围直至明年上半年,预期最快明年下半年好转。

德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司,有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务,提高公司资产运营效率,降低管理成本,提升公司盈利能力。

据韩媒报道,三星电子一位高管表示,目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片,以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。

股市快讯 更新于: 08-23 19:30,数据存在延时

存储原厂
三星电子71400KRW+1.13%
SK海力士251000KRW+2.45%
铠侠2403JPY+4.25%
美光科技117.680USD+1.63%
西部数据76.970USD+3.09%
闪迪46.370USD+1.91%
南亚科技45.35TWD-2.37%
华邦电子18.20TWD-1.09%
主控厂商
群联电子473.0TWD-0.21%
慧荣科技76.430USD+3.01%
联芸科技49.29CNY+2.47%
点序50.5TWD-1.37%
品牌/模组
江波龙96.60CNY+3.86%
希捷科技159.210USD+2.98%
宜鼎国际242.5TWD0.00%
创见资讯97.2TWD-2.61%
威刚科技96.4TWD+0.94%
世迈科技24.350USD+2.96%
朗科科技27.48CNY+2.00%
佰维存储70.70CNY+5.01%
德明利98.92CNY+2.40%
大为股份19.41CNY+2.70%
封测厂商
华泰电子40.95TWD+0.86%
力成117.0TWD-2.09%
长电科技38.84CNY+6.18%
日月光143.5TWD-0.35%
通富微电30.23CNY+4.71%
华天科技11.27CNY+4.45%