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然而,消息称,由于SK海力士对铠侠进行间接出资,而SK海力士可能对此次合并进行了反对投票,因此能否在本月内达成协议仍有变量。

宇瞻全新推出的DDR5正宽温内存条产品线包括UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM和ECC SODIMM等多种规格。支持高达4800MT/s和5600MT/s的传输速率,并提供8GB、16GB和32GB等多种容量选择。

据韩媒报道,预计SK海力士第三季度营业亏损将比第二季度减少1.3万亿韩元。预计DRAM将成功扭亏为盈,NAND将录得2万亿韩元的赤字,第三季度营业亏损将改善至1.5万亿韩元。

公司首颗自研SATASSD主控芯片TW6501正在回片验证阶段,目前整体测试结果符合预期。未来公司将自研PCIeSSD主控芯片,积极开拓PCOEM、服务器、数据中心等领域。

展望2024年,旺宏维持先前的保守看法,吴敏求认为,过去两年客户库存水位上升,如今经济衰退,拉货力量减少,库存去化时程恐超过预期,保守氛围直至明年上半年,预期最快明年下半年好转。

德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司,有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务,提高公司资产运营效率,降低管理成本,提升公司盈利能力。

据韩媒报道,三星电子一位高管表示,目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片,以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。

据业内人士透露,三星电子正在考虑扩大DDR5生产线。

此外,三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术,以应用于该产品。

分析师表示,三星削减芯片产量也损害了规模经济,提高了芯片制造成本。

美国政府已将三星电子和SK海力士在中国的芯片工厂指定为“经过验证的最终用户(VEU)”,这将允许美国出口商将指定物品运送到预先批准的实体,从而减轻他们的许可负担。

三星电子半导体(DS)部门预计将录得3至4万亿韩元的运营亏损,SK海力士预计将录得1.6855万亿韩元的运营亏损。与三星电子和SK海力士第二季度分别4.36万亿韩元和2.882万亿韩元的赤字相比,赤字预计将大幅减少。

存储力方面,存储总量超过1800EB,先进存储容量占比达到30%以上,重点行业核心数据、重要数据灾备覆盖率达到100%。

报道称,三星以品质改善为条件,与NVIDIA签订「有条件临时合约」,如HBM3品质改善至一定水准,将签订正式合约。由此推断,短期内NVIDIA的HBM3供应仍将由SK海力士主导。

日本政府已备妥最高1,670亿日圆来支应美光的生产成本,另拨款最高250亿日圆来支应研发成本。美光已表示,计划在日本投资5,000亿日圆(约合33.5亿美元),以最先进制程1γ技术生产新一代芯片。

股市快讯 更新于: 08-03 14:34,数据存在延时

存储原厂
三星电子68900KRW-3.50%
SK海力士258000KRW-5.67%
铠侠2424JPY-2.18%
美光科技104.880USD-3.90%
西部数据76.550USD-2.72%
闪迪41.330USD-3.70%
南亚科技44.45TWD-0.22%
华邦电子17.60TWD+1.44%
主控厂商
群联电子525TWD-0.94%
慧荣科技76.420USD-0.16%
联芸科技43.24CNY-1.39%
点序51.9TWD+0.58%
品牌/模组
江波龙87.86CNY-1.59%
希捷科技154.810USD-1.40%
宜鼎国际226.5TWD-0.22%
创见资讯93.6TWD-1.06%
威刚科技91.8TWD+0.55%
世迈科技22.810USD-3.22%
朗科科技23.80CNY-1.24%
佰维存储63.50CNY-0.11%
德明利87.93CNY+2.90%
大为股份16.85CNY-2.43%
封测厂商
华泰电子39.45TWD+0.90%
力成123.5TWD-1.98%
长电科技34.54CNY-1.51%
日月光152.5TWD0.00%
通富微电27.13CNY-3.52%
华天科技9.91CNY-1.10%