CORSAIR推出 MP700 PRO系列PCIe Gen 5 M.2 SSD，采用M.2 2280 外形尺寸，具有三种不同的冷却选项，可向后兼容 PCIe 4.0 主板。

据悉，CIC Materials在今年三季度成功实现了HBM助焊剂的商业化，这是一种液体材料，可以去除半导体封装过程中焊料凸块（连接芯片和基板以传输电信号的材料）的氧化膜，并防止再次氧化。

芯片库存占三星总资产的比重从去年年底的11.6%增至第三季度的12.2%。但SK海力士的市场份额从同期的15.1%降至14.6%。

美光日前分享其对于未来5年关于高效能与高容量存储新技术的发展愿景，其中包括与HBM4E相关等未曾公开讨论过的资讯。

据韩媒报道，14日下午3时30分左右，京畿道南部地区出现短暂停电，甚至影响了三星电子和SK海力士的半导体生产线。 京畿道的华城、平泽、利川等国内大部分半导体生产工厂都集中在这里。

业内人士预计，继HBM之后，LLW DRAM市场的扩张将预示着定制内存时代的开始。由于配备On-Device AI的设备差异很大，并且每种设备需要不同的功能，因此需要从开发阶段与客户密切合作，以确定生产方法和数量。

SK海力士在上月底举行的第三季度业绩电话会议上宣布，计划明年比今年增加设备投资。但解释称，由于上游需求尚未完全恢复，投资扩张将在有限范围内进行。投资集中的领域是HBM。为了增加下一代HBM3E中安装的1b制程DRAM的产量和堆叠，投资TSV技术被认为是重中之重。

数据恢复公司 Attingo表示，这些SSD中使用的组件对于电路板来说太大，导致连接薄弱（即高阻抗和高温）并使其容易断裂。此外，用于连接这些组件的焊接材料很容易形成气泡并容易破裂。

十铨指出，受惠原厂减产效应，带动DRAM和NAND FLASH价格开始上涨，同时AI应用增加，可望为存储市场带来大量需求，未来需求将逐渐好转。

业内人士表示，芯片行业最早将在明年第二季度看到 DRAM 供应的增加，因为晶圆投入的增加需要三到四个月的时间才能导致芯片产量的实际增长。主要芯片制造商的 DRAM 芯片供应量将在 2024 年下半年出现大幅增长。

DRAM产品方面，公司将不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。

兆易创新认为明年大体上随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM也会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。具体供需关系还要看明年需求的恢复情况以及主流厂商减产的持续时间。

卢东晖透露，景气周期逐渐恢复，预期可望非常快速复苏，只是目前存储前段制造厂产能还未满载，待未来前段制造厂产能满载，将会逐步恢复增加人员，只是无法确定何时。

美光强调，台中四厂除了加速推动美光部署领先DRAM 技术外，对于日本及台湾地区扩大1-beta 制程、HBM3E 产能，以及未来2025年采用EUV 技术量产1-gamma 制程都发挥了关键作用

三星日前于2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2.5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50%以上。