韩媒：三星将持续削减DRAM产量至年底，预计明年下半年供应量大幅增长

据韩媒报道，三星电子将继续削减 DRAM 芯片产量，至少持续到今年年底，目前三星正在谨慎地衡量增加供应的合适时机。业内消息人士援引三星高管言论称，现在生产内存芯片还为时过早。

消息人士称，三星是在最近与投资者和分析师进行的非交易路演中发表上述言论。三星将在明年初密切关注市场趋势后，决定何时以及增加多少存储芯片产量。

自 4 月份以来，三星一直在通过削减 DDR4 DRAM 和 128 层 NAND 闪存等传统芯片的晶圆投入来削减芯片产量。但三星将继续投资先进 DRAM 芯片的基础设施建设，并扩大研发支出，以巩固其长期市场领导地位。

报道称，业内人士表示，芯片行业最早将在明年第二季度看到 DRAM 供应的增加，因为晶圆投入的增加需要三到四个月的时间才能导致芯片产量的实际增长。主要芯片制造商的 DRAM 芯片供应量将在 2024 年下半年出现大幅增长。

大多数芯片制造商都认为，鉴于目前NAND 芯片库存水平较高，NAND Flash芯片的复苏将晚于 DRAM 芯片。

在维持目前 DRAM 芯片减产的同时，业界预计三星将增加高带宽内存 (HBM) 等先进芯片的产量和投资。本月早些时候，三星斥资 105 亿韩元（约合800 万美元）从子公司 Samsung Display Co. 购买了建筑物和设施，以扩大其 HBM 芯片生产。