美光HBM发展路线：2024年推出HBM3E，2028年推出HBM4E

美光日前分享其对于未来5年关于高效能与高容量存储新技术的发展愿景，其中包括与HBM4E相关等未曾公开讨论过的资讯。

美光预期在未来几年内，对频宽有高度要求的应用领域，仍会持续使用HBM与GDDR类型的存储器。美光预计将在2024年初，推出24GB 8-Hi HBM3E，提供每秒超过1.2TB的频宽，有望显著提升人工智能（AI）训练与推论工作负载效能；到2025年，美光将进一步强化HBM3E产品线，推出36GB 12-Hi HBM3E，存储容量增加但频宽不变。

预计将于2026年问世的HBM4将展现美光HBM技术真正的革新：采用2,048位元介面，每秒频宽可望超过1.5TB，容量介于36～48GB之间。紧随其后的则是2028年的HBM4E，频宽可达每秒2TB以上，容量介于48～64GB之间。