报道称，该工厂预计耗资 220 亿美元。但SK海力士表示，“我们目前正在考虑在美国进行可能的投资，但尚未做出最终决定。”

佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造，而不是更加复杂的微处理器。另外，武石洋明强调，佳能的目的不是要抢走EUV的市占，而是相信，纳米压印技术与EUV乃至其他种类的技术能够并存。

据韩媒报道，SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术，即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。

澜起科技近期投资者关系活动记录表显示，2023年第四季度，公司DDR5第二子代RCD芯片出货量较第三季度有所提升。预计2024年DDR5第二子代RCD芯片的需求将超过第一子代RCD芯片。

在1a和1b nm级DRAM产品中字线和位线应用的是金属钨，金属钼和钌的电阻率比钨更低，因此可以减少DRAM产品的线宽。

卢志远表示，今年第一季产能利用率维持不变，NOR Flash在穿戴与工控需求相对持稳，但仍有库存问题，高容量产品看2024年有机会有复苏的迹象，汽车市场目前库存仍需要一段时间才可消化，电动车的应用仍是强劲，长期看汽车仍是稳定成长。

东芯股份发布全年业绩预告，公司预计2023年1-12月业绩预亏，归属于上市公司股东的净利润为-3.30亿--2.90亿，净利润同比下降277.96%至256.39%。

德明利发布全年业绩预告，公司预计2023年1-12月业绩大幅下降，归属于上市公司股东的净利润为2400.00万-2900.00万，净利润同比下降64.28%至56.84%，预计基本每股收益为0.21至0.26元。

SK海力士25日在2023年第四季度电话会议上表示，无锡工厂最终将通过1a纳米转换实现DDR5和LPDDR5等产品的量产，并计划扩大该工厂的利用率。

据韩媒报道，韩国将把人工智能（AI）芯片中采用的高带宽存储器（HBM）技术指定为国家战略技术，并将向三星电子和SK海力士等该技术开发商提供税收优惠。

北京得瑞领新科技有限公司（简称DERA）NVMe SSD D7436/ D7456与云峦服务器操作系统KeyarchOS完成浪潮信息澎湃技术认证，经过对产品功能、性能、兼容性适配的测试，双方产品完全兼容，整体运行稳定高效，满足用户的关键性应用需求。

由于存储芯片市场低迷，SK海力士从2022年第四季度到去年第三季度均录得季度运营亏损。SK海力士、三星和美光通过减少产量来应对经济低迷。内存芯片DRAM和NAND的价格从去年第四季度开始再次上涨。

3月20日，春暖花开之际，CFMS｜MemoryS 2024将在深圳前海JW万豪酒店举行，以“存储周期、激发潜能”为主题，共同探讨在供需关系依然充满挑战的大环境下，未来存储市场的变化，以及如何挖掘产业价值、激发潜能，实现存储产业链由“价格”走向“价值”的升级。

据韩媒报道，在近日举办的AI-PIM半导体研讨会上，投资与证券机构负责人表示，“去年HBM的总需求约为3.2亿GB，需求预计为10亿至12亿GB。”

台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线，并手握存储器、车用等市场订单，抢占MRAM商机。