三星拟通过逻辑芯片工艺进步推动HBM4技术变革

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推行一项计划，以将更先进的工艺应用于“逻辑芯片”，“逻辑芯片”是 HBM4（第六代 HBM）的重要组成部分。

目前，各大原厂已成功将 HBM 商业化至第四代（HBM3）。第五代HBM3E将于明年开始量产。而第六代HBM4有望实现又一次技术变革。HBM4 中的 I/O 数量为 2048，是 HBM3 (1024) 的两倍。各大公司设定的HBM4量产日期为2025年。

此外，HBM的制造过程也发生了变化。不仅将使用与现有技术相比可以提高芯片性能的尖端封装技术，而且结构也将更改为通过代工厂在以前的 DRAM 工艺中生产的批量生产逻辑芯片。

逻辑芯片是负责堆叠 HBM 的核心芯片的存储器控制器功能的芯片。HBM和GPU等系统半导体通过PHY（物理层）连接，以高速连接数据。

三星电子正在计划一项战略，以进一步增强该逻辑芯片的性能。最初，三星电子及其主要竞争对手在尖端领域设计了逻辑芯片工艺，但三星电子最近被发现正在讨论与原计划相比缩小工艺线宽度的方法。

如果减小逻辑芯片的线宽，则可以提高 HBM 的整体 PPA（性能、功率效率和面积）。此外，还可以增加前端流程中使用的逻辑功能，有利于根据客户的需求提供定制化的产品。