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消息称力积电将与日本新创企业合作,目标2029年量产MRAM

编辑:AVA 发布:2024-02-05 11:38

据日媒报道,台湾晶圆代工力积电将和日本新创企业合作,目标在2029年量产磁阻式随机存取存储器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory),将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。

报道称,力积电将在2024年上半年和发源于日本东北大学、从事半导体技术研发的新创企业「Power Spin」进行合作,目标量产MRAM。东北大学长年来持续研究MRAM,而Power Spin将提供MRAM IP给力积电,力积电在推动研究、试产后,目标在2029年开始进行量产,期待可应用于生成式AI用数据中心。

理论上来说,MRAM耗电力可压低至现有存储器(DRAM、NAND Flash)的1/100,且写入速度快、即使切断电源数据也不会消失,不过除了制造成本高之外,与现有存储器相比,其耐久性、可靠性等问题仍需克服,力积电计划通过量产降低MRAM成本。

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