三星电子考虑将“MUF”应用于服务器 DRAM 模块

据韩媒报道，三星电子正在考虑将模塑底部填充 (MUF) 应用于下一代服务器 DRAM 模块。现有的大容量服务器内存模块（RDIMM）使用的是热压（TC）-非导电粘合膜（NCF），但从下一代产品开始将采用大规模回流（MR）-MUF工艺。最近的测试结果也呈阳性。结果发现，当MUF工艺应用于3D堆叠存储器（3DS）时，吞吐量显著提高。

三星电子去年开始考虑MUF材料的应用。一位熟悉三星电子事务的官员表示：“三星 DS 高层在去年的一次会议上下令引入 MUF。据我所知，测试结果得出的结论是 HBM 很难使用，适合 3DS RDIMM ”。

3DS RDIMM 是一种采用硅通孔电极 (TSV) 制成的服务器 DRAM 模块。三星电子目前正在通过TC-NCF工艺批量生产需要TSV工艺的3DS RDIMM。 

MUF 是一种环氧模塑料 (EMC)。SK海力士因将MUF材料应用于HBM量产而备受关注。MUF材料的开发是与Namix共同进行的。业界预计三星电子将与三星SDI合作开发MUF材料。就Namix而言，由于与SK海力士的合同，很难向三星电子供应MUF材料。三星SDI已​​经拥有MUF材料技术。此外，汉高等公司也拥有MUF材料技术。  

预计三星电子将坚持采用 TC-NCF 方法进行 HBM 量产。三星电子27日宣布，已通过先进的TC-NCF技术实现了12层HBM3E。一位业内人士表示，“三星电子和美光坚持采用TC-NCF方法大规模生产HBM，这种方法在防止翘曲方面具有优势。随着HBM的不断进步，三星电子将继续，因此，使用TC-NCF的可能性很大。”

一位设备行业官员表示，“三星电子已经投入了天文数字来建设TC-NCF生产线”，并补充道，“在这种情况下，不可能将HBM层压改为MR-MUF方法。”

同时，确认三星电子已向国内外设备公司订购了MUF工艺相关设备。