SK海力士考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术

据韩媒报道，SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术，即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。

据悉，混合键合技术作为下一代半导体制造技术备受关注，通过金属铜而不是焊球或凸块来增加I/O性能。具体来看，根据堆叠方式不同，还可以分为晶圆对晶圆（W2W）、晶圆对芯片（W2D）、芯片对芯片（D2D），其中，晶圆对晶圆（W2W）生产效率最高，三星电子等公司正在将 W2W 工艺应用于 CMOS 图像传感器 (CIS)的生产。

同时，SK海力士表示，目前金属钨作为存储设备栅极材料的局限性已经开始显现，公司正在积极推进金属钼替代钨的研究，需要综合权衡生产效率、生产成本等因素决定是否在400多层NAND产品应用金属钼。