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SK海力士考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术

编辑:AVA 发布:2024-02-02 11:05

据韩媒报道,SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术,即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。

据悉,混合键合技术作为下一代半导体制造技术备受关注,通过金属铜而不是焊球或凸块来增加I/O性能。具体来看,根据堆叠方式不同,还可以分为晶圆对晶圆(W2W)、晶圆对芯片(W2D)、芯片对芯片(D2D),其中,晶圆对晶圆(W2W)生产效率最高,三星电子等公司正在将 W2W 工艺应用于 CMOS 图像传感器 (CIS)的生产。

同时,SK海力士表示,目前金属钨作为存储设备栅极材料的局限性已经开始显现,公司正在积极推进金属钼替代钨的研究,需要综合权衡生产效率、生产成本等因素决定是否在400多层NAND产品应用金属钼。

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股市快讯 更新于: 06-21 03:25,数据存在延时

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